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公开/公告号CN115028141A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-09-09
原文格式PDF
申请/专利权人 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所);
申请/专利号CN202210958262.3
发明设计人 李安华;暴翔;王玉亮;杨晓东;李少飞;
申请日2022-08-11
分类号B81C3/00;
代理机构太原科卫专利事务所(普通合伙);
代理人朱源
地址 030024 山西省太原市和平南路115号
入库时间 2023-06-19 16:46:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-09
公开
发明专利申请公布
机译: 能够省略单独的制造设备的晶圆键合方法,以及由该晶圆键合的晶圆结构
机译: 晶圆匹配设计方法、晶圆键合结构和芯片键合结构
机译: 晶圆键合方法和晶圆键合结构
机译:通过直接晶圆键合制造的具有GaN /蓝宝石透明基板的倒装芯片AlGaInP LED
机译:使用化学剥离和室温直接晶片键合以及GaN晶片规模在ZnO缓冲蓝宝石上进行GaN晶片规模的MOVPE生长,从蓝宝石转移到玻璃基板的MOVPE GaN薄膜的结构和成分表征
机译:蓝宝石上晶圆键合蓝宝石界面处的空隙起源
机译:通过直接晶圆键合的砷化铟镓和氮化镓FET。
机译:金膜厚度和表面粗糙度对室温晶圆键合和金-金表面活化键合的晶圆级真空密封的影响
机译:电容式压力传感器采用SOI-Si直接晶圆键合和玻璃回流技术的晶片通过硅通孔通孔
机译:用于晶圆键合的晶圆清洗和预粘接模块