防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半导体或液晶显示器的制造方法

摘要

本发明提供一种防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半导体或液晶显示器的制造方法，所述防护薄膜框架为构成光刻用的防护薄膜的防护薄膜框架，所述防护薄膜框架的外周侧面形成为流线形状，且形成为所述流线形状的外周部分的宽度为防护薄膜框架的高度的50％以上。本发明通过将防护薄膜框架的外周侧面部设为特定的流线型的形状，而空气的剥离变小，可减小空气阻力，并且，结果可抑制高速扫描运动中的乱流，可抑制曝光后的覆盖的恶化。

说明书

技术领域

本发明涉及一种防护薄膜框架(pellicle frame)、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半导体或液晶显示器的制造方法。

背景技术

在制造半导体装置(device)或液晶显示器等时的光刻步骤中，通过对涂布有抗蚀剂的半导体晶片或液晶用原版照射光来制作图案，若此时使用的光掩模及网线(reticle)(以下，光掩模)附着有异物，则所述异物会吸收光，或者会使光弯曲，因此所转印的图案变形，或者边缘粗杂，此外，还存在基底被染黑，尺寸、品质、外观等受损的问题。

这些光刻步骤通常是在无尘室(clean room)内进行，但即便如此，也难以使曝光原版始终保持洁净，因此，通常采用在曝光原版设置被称为防护薄膜的异物去除器而进行曝光的方法。

此种防护薄膜通常包括：框状的防护薄膜框架、张设于防护薄膜框架的上端面的防护薄膜膜片、以及形成于防护薄膜框架的下端面的气密用衬垫(gasket)等。其中的防护薄膜膜片包含对于曝光光显示出高的透过率的材料，且气密用衬垫使用粘着剂等。

若将此种防护薄膜设置于光掩模，则异物不会直接附着于光掩模，而是附着于防护薄膜上。而且，若在光刻中使焦点在光掩模的图案上对焦，则防护薄膜上的异物便与转印无关，可抑制图案的变形等问题。

且说，在此种光刻技术中，作为提高分辨率的手段，正推进曝光光源的短波长化。直至目前为止，曝光光源自基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)转移为KrF准分子激光(248nm)，并且，近年来，在需要进行微细的加工时最频繁地使用ArF准分子激光(193nm)。

近年来，为了使用ArF准分子激光进行更微细的加工，而使用液浸曝光装置。通过利用液体将曝光装置的接物镜与硅晶片之间填满，而实现更高的数值孔径(numericalaperture，NA)，结果，获得更高的分辨率。若如此将曝光装置设为高NA化，则在透过防护薄膜的光中，在周边部中斜入射的角度变大。防护薄膜的透过率通常是以对于垂直入射光可获得极大透过率的方式设定，但可见随着入射角变大而透过率下降的现象。关于所述透过率的减少的程度，可见在防护薄膜膜片的膜厚厚的情况下显著。因此，为了对于斜入射光也获得高的透过率，通常将防护薄膜膜片薄膜化。

但是，若将防护薄膜膜片薄膜化，则存在膜的强度随之下降的问题。即，曝光时，将防护薄膜贴附于光掩模基板而制作的光掩模单元进行高速扫描运动，因此，在防护薄膜膜片的强度小的情况下，膜容易因高速扫描运动中的乱流的影响而振动。即，因防护薄膜膜片振动，而曝光光在通过防护薄膜膜片时容易紊乱，有图案自原本设为目标的位置偏移而图案的位置精度(覆盖(overlay))恶化的可能性。

再者，作为与提高覆盖的工艺相关联的现有技术，可列举以下的公开公报。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2018-508048号公报

专利文献2：国际公开第2012/080008号

发明内容

发明所要解决的问题

本发明是鉴于所述情况而成，其目的在于提供一种防护薄膜框架及使用其的防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、以及半导体或液晶显示器的制造方法，所述防护薄膜框架可抑制高速扫描运动中容易产生的乱流，缓和曝光时的高速扫描运动时的防护薄膜膜片的振动，抑制覆盖恶化。

解决问题的技术手段

本发明人为了解决所述课题而进行了努力研究，结果获得了如下见解，从而形成了本发明：通过将防护薄膜框架的外周侧面部设为特定的流线型的形状，而空气的剥离变小，可减小空气阻力，并且，结果可抑制高速扫描运动中的乱流，可抑制曝光后的覆盖的恶化。

因此，本发明提供以下的防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半导体或液晶显示器的制造方法。

1.一种防护薄膜框架，其为构成光刻用的防护薄膜的防护薄膜框架，且其特征在于：所述防护薄膜框架的外周侧面形成为流线形状，并且形成为所述流线形状的外周侧面部分的宽度为防护薄膜框架的高度的50％以上。

2.一种防护薄膜框架，其特征在于：外周侧面具有形成为流线形状的部分，并且形成为所述流线形状的外周侧面部分的宽度为防护薄膜框架的高度的50％以上。

3.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中流线形状为圆弧形状。

4.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中设置于曝光原版的一侧(下端面侧)的防护薄膜框架的宽度(w)大于设置防护薄膜膜片的一侧(上端面侧)的防护薄膜框架的宽度(B)。

5.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中所述防护薄膜框架的宽度(B)为所述防护薄膜框架的宽度(w)的60％以下。

6.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中外周侧面的宽度是自设置于曝光原版的一侧(下端面侧)朝向设置防护薄膜膜片的一侧(上端面侧)逐渐减小。

7.一种防护薄膜，其特征在于包括：根据所述1或2记载的防护薄膜框架以及防护薄膜膜片。

8.根据所述7记载的防护薄膜，其中所述防护薄膜膜片的膜厚为500nm以下。

9.根据所述7记载的防护薄膜，其为300mm/秒以上的扫描速度下的曝光中所使用的防护薄膜。

10.一种带防护薄膜的曝光原版，其特征在于：在曝光原版装设有根据所述7记载的防护薄膜。

11.一种曝光方法，其特征在于：通过根据所述10记载的带防护薄膜的曝光原版来进行基板的曝光。

12.根据所述11记载的曝光方法，其中以300mm/秒以上的扫描速度对基板进行曝光。

13.一种半导体的制造方法，其特征在于包括：使用根据所述10记载的带防护薄膜的曝光原版对基板进行曝光的步骤。

14.根据所述13记载的半导体的制造方法，其中对基板进行曝光的步骤为以300mm/秒以上的扫描速度进行基板的曝光的步骤。

15.一种液晶显示器的制造方法，其特征在于包括：使用根据所述10记载的带防护薄膜的曝光原版对基板进行曝光的步骤。

16.根据所述15记载的液晶显示器的制造方法，其中对基板进行曝光的步骤为以300mm/秒以上的扫描速度进行基板的曝光的步骤。

发明的效果

根据本发明的防护薄膜框架，与现有的防护薄膜框架相比，通过将框架的外侧形状设为流线型，可抑制高速扫描运动中容易产生的乱流，缓和曝光时的高速扫描运动时的防护薄膜膜片的振动，可抑制覆盖恶化，在微细的图案形成步骤中有效。因此，使用本发明的防护薄膜框架的防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半导体或液晶显示器的制造方法在光刻技术中有用。

附图说明

图1是本发明的防护薄膜框架的平面图。

图2是图1的防护薄膜框架的沿着X-X方向的剖面图。

具体实施方式

以下，对本发明的一实施方式进行详细说明，但本发明并不限定于此。

关于本发明的防护薄膜框架，其形状为多边形框状，且具有直线部10a以及角部10b。通常为如图1所示那样的四边形框状。图1的直线部10a相交的角部10b可设为R形状，虽未特别进行图示，但也可设置通气孔或夹具孔。

本发明的防护薄膜框架通过将所述框架的外侧形状设为流线形状(流线型)，而与现有的防护薄膜框架相比，可抑制高速扫描运动中产生的乱流，可缓和由曝光时的高速扫描运动引起的防护薄膜膜片的振动，可有效地抑制覆盖恶化。

所述防护薄膜框架的外周侧面的全部或一部分被形成为流线形状。作为所述流线形状，优选为具有曲线形状或弯曲形状的形状，具体而言，可列举圆弧状、椭圆弧状等形状。尤其是，防护薄膜框架的外周侧面理想的是呈现出宽度自设置于曝光原版的一侧(下端面侧)朝向设置防护薄膜膜片的一侧(上端面侧)逐渐减小的形状。

如图2所示，所述防护薄膜框架的形成为流线形状的外周侧面部分10c的宽度是指防护薄膜框架的横剖面的整体宽度(w＝B+b)中、形成外周侧面部分的最大宽度b，在图2中是指圆弧部的底部宽度b。

所述防护薄膜框架的形成为流线形状的外周侧面部分的宽度b适宜的是防护薄膜框架的高度H的50％以上，更优选为70％以上，进而优选为90％以上，最优选为100％。若所述外周侧面部分的宽度b小于50％，则在高速扫描运动中流线型部所承受的空气阻力变大，膜容易因乱流的影响而振动，存在覆盖恶化的担忧。再者，就确保曝光面积的观点而言，外周侧面部分的宽度b的上限为防护薄膜框架的高度H的200％左右。

另外，在图2中，防护薄膜框架的整体宽度w、即、设置于曝光原版的一侧(下端面侧)的防护薄膜框架的宽度w优选为大于设置防护薄膜膜片的一侧(上端面侧)的防护薄膜框架的宽度B。所述情况下，所述防护薄膜框架的宽度B优选为所述防护薄膜框架的宽度w的60％以下，更优选为50％以下，进而优选为40％以下。其下限值并无特别限制，就容易设置防护薄膜膜片的方面而言，优选为30％以上。

关于所述防护薄膜框架的材质，并无特别限定，可使用现有的材料。例如可列举：铝、铝合金、钢铁、不锈钢、黄铜、因钢(invar)、超级因钢(super invar)等金属或合金，聚乙烯(polyethylene，PE)树脂、聚酰胺(polyamide，PA)树脂、聚醚醚酮(polyether-ether-ketone，PEEK)树脂等工程塑料，玻璃纤维强化塑料(Glass Fiber Reinforced Plastics，GFRP)、碳纤维强化塑料(Carbon Fiber Reinforced Plastics，CFRP)等纤维复合材料等。

优选为所述防护薄膜框架的表面被处理为黑色，并且视需要实施涂装等表面处理以防止扬尘。例如，在使用铝合金的情况下，优选为实施氧化铝膜处理(alumite process)或化成处理等表面处理，在钢铁、不锈钢等的情况下，优选为实施镀黑色铬等表面处理。

为了捕捉或固定浮游异物，可在所述防护薄膜框架的内表面涂布丙烯酸系粘着剂、硅酮系粘着剂等粘着性物质。另外，出于防止扬尘的目的，可在防护薄膜框架的仅内表面、或其整面形成丙烯酸系树脂、氟系树脂等非粘着性树脂的被膜。这些粘着性树脂、非粘着性树脂的被膜的形成可通过喷雾、浸渍、粉体涂装、电沉积涂装等现有的方法来施工。

另外，在所述防护薄膜框架的外表面，为了用于处理(handling)等，也可设置多处夹具孔或槽。进而，也可通过机械刻印或激光标示(laser marking)来设置型号、制造编号、条码(bar code)等标记。

关于本发明的防护薄膜框架，可对其设置防护薄膜膜片、粘着剂层等来制作防护薄膜。

所述防护薄膜膜片是根据使用的曝光光源，自纤维素系树脂、氟系树脂等材料中选择最优选者，就透过率、机械强度等观点而言，自0.1μm～10μm左右的范围中选择最优选的膜厚来进行制作，并且视需要可赋予抗反射层。尤其是，在使用极紫外光(ExtremeUltraViolet Light，EUV光)作为曝光光源的情况下，可使用膜厚为1μm以下的极薄的硅膜或石墨烯膜、类钻碳膜、碳纳米管膜等碳膜等。尤其是，防护薄膜膜片的膜厚优选为500nm以下，更优选为300nm以下。就防护薄膜膜片的强度的方面而言，防护薄膜膜片的膜厚的下限值适宜的是20nm以上。

所述防护薄膜膜片并不仅限定于薄膜，也可采用包括对防护薄膜膜片进行支撑的支撑框。例如，可采用如下方法：在硅晶片上形成防护薄膜膜片，仅对用作防护薄膜膜片的部位进行背面蚀刻而去除硅晶片，由此制作防护薄膜膜片。所述情况下，防护薄膜膜片可在由硅框支撑的状态下获得。而且，用于在防护薄膜框架的上端面张设防护薄膜膜片的接着剂可使用丙烯酸系接着剂、氟系接着剂、硅酮系接着剂等现有的接着剂。

关于使用有本发明的防护薄膜框架的防护薄膜，也可设置通气孔以调整内部的气压，也可在其外侧安装过滤器以防止异物的侵入，所述过滤器包含聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)等多孔质薄膜。此时，关于过滤器的安装，可设置适当的材质的粘着层等并直接贴附于防护薄膜框架的外表面等。而且，关于这些通气孔或过滤器的配置位置或个数、其形状，可考虑到所要求的通气性或处理的情况等来适宜地决定。

用于将所述防护薄膜装设于光掩模的粘着剂层是设置于防护薄膜框架的下端面。作为粘着剂层的材质，可使用橡胶系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、丙烯酸系粘着剂、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(styrene-ethylene-butylene-styrene，SEBS)粘着剂、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯(styrene-ethylene-propylene-styrene，SEPS)粘着剂、硅酮粘着剂等现有的材质。另外，优选为成为雾度的原因的逸气的产生少的材质。

为了确保将所述防护薄膜装设于光掩模后的稳定性或减低对光掩模造成的影响，粘着剂层表面的平面度优选为设为30μm以下。另外，剖面形状或厚度只要视需要进行选择即可，例如，可将剖面形状设为半圆型的凸形状。

在粘着剂层的表面，可以厚度50μm～300μm左右设置对聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)制膜(film)等的表面赋予剥离性的隔离膜(separator)。其是为了保护粘着剂层，且也可通过防护薄膜的壳体或防护薄膜的支撑手段等措施来省略。

关于使用有所述防护薄膜框架的防护薄膜，在使将所述防护薄膜贴附于光掩模基板而制作的光掩模单元进行高速扫描运动的状态下，进行图案化，可通过自目标位置向X方向及Y方向的位置偏移来评价覆盖精度，向两方向的偏移越小越理想。对下一代的半导体装置或液晶显示器要求形成极其微细化的图案，覆盖的位置精度优选为1nm以下。关于自图案化的目标位置向X方向及Y方向的位置偏移的测定，例如可使用阿斯麦(ASML)公司制造的晶片测定机“耶鲁德斯达(YIELDSTAR)T-250D”等进行测定。

使用本发明的防护薄膜框架的防护薄膜在应用于如下用途、即、光掩模的歪斜尤其成为问题的用于制造半导体的用途时，效果特别大，但并不限定于所述用途。例如，不仅在用于制造一边为150mm左右的半导体的用途中，而且在用于制造一边为200mm～300mm的印刷基板的用途以及用于制造一边接近500mm～2000mm的液晶、有机电致发光(electroluminescence，EL)显示器的用途中，均可应用于因贴附防护薄膜而光掩模的变形成为问题那样的所有防护薄膜中。

本发明的防护薄膜不仅可作为用于在曝光装置内抑制异物附着于曝光原版的保护构件，而且也可作为在曝光原版的保管时或在曝光原版的搬运时用于保护曝光原版的保护构件。将防护薄膜装设于光掩模等曝光原版并制造带防护薄膜的曝光原版的方法除了存在利用所述光掩模用粘着剂进行贴附的方法以外，还存在静电吸附法、进行机械性固定的方法等。

本发明的实施方式的半导体或液晶显示器的制造方法包括利用带防护薄膜的曝光原版对基板(半导体晶片或液晶用原版)进行曝光的步骤。例如，在作为半导体或液晶显示器的制造步骤之一的光刻步骤中，为了在基板上形成与集成电路等对应的光致抗蚀剂图案，而在步进器设置带防护薄膜的曝光原版进行曝光。通常，在EUV曝光中，使用EUV光被曝光原版反射并被引导至基板的投影光学系统，这些是在减压或真空下进行。由此，假设即便在光刻步骤中异物附着于防护薄膜上，这些异物也不会在涂布有光致抗蚀剂的晶片上成像，因此可防止由异物的像引起的集成电路等的短路或断线等。因此，通过使用带防护薄膜的曝光原版，可提高光刻步骤中的良率。

在半导体等的制造中所使用的曝光装置中，通常使用接触曝光、近接式曝光、镜面-投影曝光、步进与重复型投影曝光装置、步进与扫描型投影曝光装置等。此处，在步进与扫描型投影曝光装置中，例如，一面以细狭缝对曝光原版的图案进行扫描，一面将电路图案转印到晶片上，因此，曝光原版与晶片以与投影光学系统的倍率相应的扫描速度同步移动。此时，粘贴于曝光原版的防护薄膜也同样地移动。

在本发明中，若将所述扫描速度设为300mm/秒以上，则可使外部气体与防护薄膜有效地摩擦，可使防护薄膜框架带电。所述扫描速度在慢的情况下并无大的影响，但在变快的情况下，振动等对于防护薄膜、光掩模、基板、曝光装置的构成零件等的影响变大，并不期望的异物的产生频率变高。因此，关于本发明的防护薄膜，扫描速度越快越有效果，也可应对550mm/秒以上的扫描速度、进而700mm/秒以上的超高速的扫描速度。扫描速度的上限依存于曝光装置的性能，通常为2000mm/秒左右。

实施例

以下，示出实施例及比较例，具体说明本发明，但本发明不受下述实施例的限制。

〔实施例1〕

在实施例1中，首先，准备铝合金制且外周部为流线型的四边形框状防护薄膜框架。防护薄膜框架的外形尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。另外，在所述防护薄膜框架的短边的中央部，也设置直径0.5mm的过滤器孔。

进而，防护薄膜框架的剖面形状为如图2所示那样的形状，且B＝1.95mm、H＝3.15mm、b＝3.15mm。此时的b(圆弧部的底部宽度)相对于H(框架高度)而为100％的长度，b相对于H即宽度比为100％。

其次，利用纯水对所准备的防护薄膜框架进行清洗后，在防护薄膜框架的上端面涂布硅酮粘着剂(信越化学工业(股)制造的KE-101A/B)，在下端面涂布丙烯酸粘着剂(综研化学(股)制造的SK戴恩(SK-Dyne)1495)。

继而，在涂布有硅酮粘着剂的防护薄膜框架的上端面，贴附防护薄膜膜片，所述防护薄膜膜片包含以全氟丁烯基乙烯基醚为主成分的聚合物，并将较防护薄膜框架而言更向外侧伸出的防护薄膜膜片去除，由此完成防护薄膜。

将所制作的防护薄膜贴附于150mm见方的光掩模基板，评价覆盖精度，结果，覆盖为0.54nm。再者，将向光掩模贴附防护薄膜的条件设为负荷5kgf、负荷时间30秒。

〔实施例2〕

在实施例2中，首先，准备铝合金制且外周部为流线型的四边形框状防护薄膜框架。防护薄膜框架的外形尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。

进而，防护薄膜框架的剖面形状为如图2所示那样的形状，且B＝1.95mm、H＝3.15mm、b＝2.835mm。此时的b(圆弧部的底部宽度)相对于H(框架高度)而为90％的长度，b相对于H即宽度比为90％。

将所制作的防护薄膜贴附于150mm见方的光掩模基板，评价覆盖精度，结果，覆盖为0.55nm。

〔实施例3〕

在实施例3中，首先，准备铝合金制且外周部为流线型的四边形框状防护薄膜框架。防护薄膜框架的外形尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。

进而，防护薄膜框架的剖面形状为如图2所示那样的形状，且B＝1.95mm、H＝3.15mm、b＝2.52mm。此时的b(圆弧部的底部宽度)相对于H(框架高度)而为80％的长度，b相对于H即宽度比为80％。

将所制作的防护薄膜贴附于150mm见方的光掩模基板，评价覆盖精度，结果，覆盖为0.67nm。

〔实施例4〕

在实施例4中，首先，准备铝合金制且外周部为流线型的四边形框状防护薄膜框架。防护薄膜框架的外形尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。

进而，防护薄膜框架的剖面形状为如图2所示那样的形状，且B＝1.95mm、H＝3.15mm、b＝2.205mm。此时的b(圆弧部的底部宽度)相对于H(框架高度)而为70％的长度，b相对于H即宽度比为70％。

将所制作的防护薄膜贴附于150mm见方的光掩模基板，评价覆盖精度，结果，覆盖为0.75nm。

〔实施例5〕

在实施例5中，首先，准备铝合金制且外周部为流线型的四边形框状防护薄膜框架。防护薄膜框架的外形尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。

进而，防护薄膜框架的剖面形状为如图2所示那样的形状，且B＝1.95mm、H＝3.15mm、b＝1.89mm。此时的b(圆弧部的底部宽度)相对于H(框架高度)而为60％的长度，b相对于H即宽度比为60％。

将所制作的防护薄膜贴附于150mm见方的光掩模基板，评价覆盖精度，结果，覆盖为0.88nm。

〔实施例6〕

在实施例6中，首先，准备铝合金制且外周部为流线型的四边形框状防护薄膜框架。防护薄膜框架的外形尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。

进而，防护薄膜框架的剖面形状为如图2所示那样的形状，且B＝1.95mm、H＝3.15mm、b＝1.575mm。此时的b(圆弧部的底部宽度)相对于H(框架高度)而为50％的长度，b相对于H即宽度比为50％。

将所制作的防护薄膜贴附于150mm见方的光掩模基板，评价覆盖精度，结果，覆盖为0.97nm。

〔比较例1〕

在比较例1中，首先，准备铝合金制且外周部为流线型的四边形框状防护薄膜框架。防护薄膜框架的外形尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。

进而，防护薄膜框架的剖面形状为如图2所示那样的形状，且B＝1.95mm、H＝3.15mm、b＝1.26mm。此时的b(圆弧部的底部宽度)相对于H(框架高度)而为40％的长度，b相对于H即宽度比为40％。

将所制作的防护薄膜贴附于150mm见方的光掩模基板，评价覆盖精度，结果，覆盖为1.07nm。

〔比较例2〕

在比较例2中，首先，准备铝合金制且外周部为流线型的四边形框状防护薄膜框架。防护薄膜框架的外形尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。

进而，防护薄膜框架的剖面形状为如图2所示那样的形状，且B＝1.95mm、H＝3.15mm、b＝0.945mm。此时的b(圆弧部的底部宽度)相对于H(框架高度)而为30％的长度，b相对于H即宽度比为30％。

将所制作的防护薄膜贴附于150mm见方的光掩模基板，评价覆盖精度，结果，覆盖为1.15nm。

〔比较例3〕

在比较例3中，首先，准备铝合金制且外周部为流线型的四边形框状防护薄膜框架。防护薄膜框架的外形尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。

进而，防护薄膜框架的剖面形状为如图2所示那样的形状，且B＝1.95mm、H＝3.15mm、b＝0.63mm。此时的b(圆弧部的底部宽度)相对于H(框架高度)而为20％的长度，b相对于H即宽度比为20％。

将所制作的防护薄膜贴附于150mm见方的光掩模基板，评价覆盖精度，结果，覆盖为1.20nm。

〔比较例4〕

在比较例4中，首先，准备铝合金制且外周部为流线型的四边形框状防护薄膜框架。防护薄膜框架的外形尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。

进而，防护薄膜框架的剖面形状为如图2所示那样的形状，且B＝1.95mm、H＝3.15mm、b＝0.315mm。此时的b(圆弧部的底部宽度)相对于H(框架高度)而为10％的长度，b相对于H即宽度比为10％。

将所制作的防护薄膜贴附于150mm见方的光掩模基板，评价覆盖精度，结果，覆盖为1.24nm。

〔比较例5〕

在比较例5中，首先，准备铝合金制四边形框状防护薄膜框架。防护薄膜框架的外形尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。再者，在所述防护薄膜框架的外周部并未形成流线型(未图示)。

将所制作的防护薄膜贴附于150mm见方的光掩模基板，评价覆盖精度，结果，覆盖为1.24nm。

[表1]

根据汇总以上结果的所述表1，由实施例1～6与比较例1～5的比较而确认到：若在框架外周部形成流线型，并增大流线型圆弧部的底部宽度相对于框架高度的比，则存在覆盖恶化变小的倾向。

符号的说明

10：防护薄膜框架

10a：直线部

10b：角部

10c：外周侧面部分

L

L

H：防护薄膜框架的高度

w：防护薄膜框架的宽度

b：圆弧部的底部宽度/外周侧面部分的宽度