一种基于二维层间滑移铁电半导体的场效应晶体管器件及其制备方法

摘要

本发明提出一种基于Ⅲ‑Ⅵ族材料(GaSe)层间滑移铁电场效应晶体管器件，利用该类材料中电场控制层间滑移实现极化翻转的特性，可以实现对沟道费米能级和电导率的调控，与传统铁电场效应晶体管相比，二维超薄铁电体可以显著缩小器件尺寸，增加有效栅电场，翻转或极化所需的电压可以进一步降低，从而可以实现低功耗存储。这种外加电场调控层间滑移的新型铁电场效应晶体管器件为实现高性能的铁电存储及高集成度的存储芯片提供了新平台。