多阈值逻辑功率器件及制备方法

摘要

本发明提供一种多阈值逻辑功率器件及制备方法，通过接触掩膜版的图案化设计，可形成具有同一公共的沟槽栅极结构的接触结构阵列，且可使得接触结构阵列中的接触结构的第二导电类型接触部的边缘与沟道边缘之间具有不同的横向间距，可实现多阀值逻辑状态，从而通过外接电路可实现功率器件具有多阈值逻辑状态以存储信息；本发明在没有添加任何额外的工艺步骤的前提下，即可制备具有不同阈值电压，且具有存储信息能力的多阈值逻辑功率器件，制备工艺简单、费用低，且应用范围较广；阈值电压的数目可灵活设计，以用来存储多位元的数字信息或模拟信息于功率器件中；内置多阈值电压的功率MOSFET和IGBT可用于大电流场合，且具有存储信息的能力。