多阈值逻辑功率器件、制备方法及同时读取多阈值的方法

摘要

本发明提供一种多阈值逻辑功率器件、制备方法及同时读取多阈值的方法，通过接触掩膜版可形成具有同一公共的沟槽栅极结构的接触结构阵列，且同组的第二导电类型接触部的边缘与沟道边缘之间具有相同的横向间距，不同组的第二导电类型接触部的边缘与沟道边缘之间具有不同的横向间距，可实现多阀值逻辑状态以存储信息；没有添加额外的工艺步骤即可制备具有不同阈值电压且具有存储信息能力的多阈值逻辑功率器件；阈值电压的数目可灵活设计，以存储多位元的数字信息或模拟信息；内置多阈值电压的MOSFET和IGBT可用于大电流场合，且具有存储信息能力；扫描公共栅极的电压，构建跨导，可便捷的同时读取存储于逻辑功率器件中的多位元信息。