平板倒装焊GaN基LED芯片结构

摘要

本发明提出了一种平板倒装焊GaN基LED芯片结构，包括衬底，在衬底的下方自上至下依次设有N型GaN层、量子阱QW有源区、P型GaN层、电流扩展层和光反射层；光反射层上刻蚀有至N型GaN层的台阶面，在该台阶面的N型GaN层上制作有N电极，在光反射层上制作有P电极，N电极与P电极的外端处于同一水平面；在P电极焊盘和N电极焊盘所在面的除P电极焊盘和N电极焊盘以外的其它区域上镀有一层透明绝缘介质膜，P电极焊点外端制作有P焊板，N电极焊点外端制作有N焊板，P焊板和N焊板共晶或合金焊接到导热Si或者SiC衬底的P电极区和N电极区上。本发明在PN焊盘外区域涂绝缘介质膜，防止了PN连通短路，将有限N区电极导热平板搭至P区台面上。