首页> 中国专利> 使用针对改进感测的不同参考电平的非易失性存储器中的粗略/精细编程验证

使用针对改进感测的不同参考电平的非易失性存储器中的粗略/精细编程验证

摘要

提供非易失性存储器的粗略/精细编程,其中,存储器单元在到达其意图的状态的粗略验证电平之前的第一级编程中编程,且在到达粗略验证电平之后但在到达其意图的状态的最终验证电平之前的第二级编程中编程。与较小的存储器单元相关的大的子阈值摆动因子可以影响感测操作的准确性,尤其是当在粗略验证电平处感测之后在精细验证电平处感测、而在不同的感测之间不对位线进行预充电时。当在粗略验证电平和最终验证电平处感测时使用不同的参考电势。在这些参考电势之间的差异可以补偿在粗略电平感测期间位线的任何放电。

著录项

  • 公开/公告号CN101796591B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桑迪士克科技股份有限公司;

    申请/专利号CN200880105358.3

  • 发明设计人 李世俊;

    申请日2008-07-02

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人黄小临

  • 地址 美国得克萨斯州

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C 16/34 变更前: 变更后: 申请日:20080702

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2013-04-24

    授权

    授权

  • 2012-08-08

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G11C 16/34 变更前: 变更后: 登记生效日:20120706 申请日:20080702

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-09-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/34 申请日:20080702

    实质审查的生效

  • 2010-08-04

    公开

    公开

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