一种基于GaAs pHEMT工艺和GaN工艺的功率开关

摘要

本发明提出了一种基于GaAs pHEMT工艺和GaN工艺的功率开关；驱动放大器部分采用GaAs pHEMT工艺，开关部分采用GaN工艺；相比于其他工艺，GaAs pHEMT工艺具有更高的电子迁移率和优异的功率性能，可以在更低温度下工作，提供更大的电流密度和电子迁移率，使得工作频率和增益有所提高；与传统的Si功率器件相比，GaN功率开关具有较低的导通电阻和更快的开关性能，是高开关频率和高效率操作的最优选择之一。当开关频率增加到MHz级时，软开关对于进一步减小开关损耗和提高效率起着重要作用；本发明与传统功率开关相比，可以实现低的开关损耗而不显著增加其导通损耗。