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林倩; 陈思维; 邬海峰; 胡单辉; 陈依军; 胡柳林;
青海民族大学物理与电子信息工程学院 青海 西宁810007;
成都嘉纳海威科技有限公司 四川 成都610000;
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管; 单片微波集成电路; 共源共栅; 双级放大; 高增益;
机译:使用AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT的38 dBm功率放大器,用于S波段应用
机译:具有高相位稳定性的S波段高增益相对论速调管放大器
机译:具有双通配置的高增益S波段半导体光放大器
机译:基于GaN HEMT的MMIC高增益低噪声放大器,适用于S波段应用
机译:S波段光放大器的设计,开发和特性
机译:基于等离子体中拉曼放大的超高增益高效放大器
机译:高增益泄漏表面声波放大器在铌酸盐异质结构上的外延Ingaas中
机译:一种集成脉冲调制s波段功率放大器的氮化镓工艺设计与分析。
机译:使用四端子双绝缘栅场晶体管的CMOS放大器,多输入CMOS放大器,高增益多输入CMOS放大器,高增益高稳定性多输入CMOS放大器和使用该放大器的多输入CMOS差分放大器
机译:使用4端子双绝缘栅场效应晶体管的CMOS放大器,使用相同的高增益多输入CMOS放大器的多输入CMOS放大器,高增益,高稳定度的多输入CMOS放大器和多输入CMOS放大器放大器
机译:多输入CMOS放大器并使用高增益多输入CMOS放大器,高稳定多输入CMOS放大器,高增益高稳定多输入CMOS放大器和多输入CMOS差分放大器为零的第一绝缘栅
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