一种UVB芯片的外延结构及其应用

摘要

本发明涉及紫外发光器件技术领域，尤其涉及一种UVB芯片的外延结构及其应用。本发明所述的外延结构创新性地引入电子缓存层使得电子在进入量子阱和空穴复合发光之前有一个缓存区，所述缓存区因为Al组分较低的AlInGaN层和Al组分较高的AlInGaN层交替生长，形成超晶格结构。电子能在Al组分较低的AlInGaN很好地缓存以及面内均匀扩展，同时Al组分较高的AlInGaN层能够一定程度上限制电子大量拥挤进入量子阱区域，使得电子和空穴持续有效且面内均匀复合，提高了器件的发光效率和寿命。