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一种银铜磷基低析氢过电位电极及其制备方法

摘要

本发明涉及一种银铜磷基低析氢过电位电极及其制备方法,制备方法包括:将银铜磷合金材料浸渍于酸性氯化亚锡溶液中,即得到Cu3P‑Cu2O‑CuCl‑CuAg低析氢过电位电极。与现有技术相比,本发明以银铜磷合金材料为基底,制备得到析氢性能优异的低析氢过电位电极,具有原材料含量丰富、来源广泛、成本较低、方便易得、制备工艺简单、过程安全、生产成本较为低廉等优点,并以简单直接的方法充分发掘了材料的特性和优势,提升了材料的实用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN114293224A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海应用技术大学;

    申请/专利号CN202111520228.X

  • 申请日2021-12-13

  • 分类号C25B11/091(20210101);C25B1/04(20210101);

  • 代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;

  • 代理人顾艳哲

  • 地址 201418 上海市奉贤区海泉路100号

  • 入库时间 2023-06-19 14:49:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-08

    公开

    发明专利申请公布

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