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制作纳米孔阵列的方法、纳米孔阵列和纳米孔阵列传感器

摘要

本发明提出了制作纳米孔阵列的方法、纳米孔阵列和纳米孔阵列传感器,制作纳米孔阵列的方法,包括:提供硅片;形成第一掩膜层,形成第二掩膜层;形成第一图案化层;形成第二图案化层;进行第一湿法刻蚀;进行第二湿法刻蚀;形成功能材料层;对第二刻蚀腔进行第三湿法刻蚀,以形成第三刻蚀腔,暴露位于锥尖的功能材料层;对位于锥尖的功能材料层进行第四刻蚀,以形成多个纳米孔,得到纳米孔阵列。由此,可通过简便的方法制备具有孔径均一、制备流程简便、可重复性高等优点的纳米孔阵列结构。

著录项

  • 公开/公告号CN114275729A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN202111587794.2

  • 发明设计人 刘泽文;洪浩;

    申请日2021-12-23

  • 分类号B81B1/00(20060101);B81C1/00(20060101);

  • 代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人赵静

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园

  • 入库时间 2023-06-19 14:46:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-05

    公开

    发明专利申请公布

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