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低通孔双大马士革结构的制备方法

摘要

本公开实施例提供一种低通孔双大马士革结构的制备方法,包括:提供衬底,所述衬底上形成有导电层,在所述导电层上依次形成有刻蚀停止层、第一介质层、中间停止层和第二介质层;在所述第二介质层形成介电抗反射层;在所述介电抗反射层上形成光刻胶层;以所述光刻胶层为掩模刻蚀所述介电抗反射层、第二介质层、中间停止层、第一介质层和刻蚀停止层,形成至少两个通孔,所述通孔底部暴露出部分所述刻蚀停止层;在所述通孔中形成刻蚀阻挡层;在所述第二介质层中形成沟槽,所述至少两个通孔位于所述沟槽内;以及去除所述刻蚀阻挡层,并去除所述通孔底部的剩余的刻蚀停止层,暴露出所述衬底上的导电层。

著录项

  • 公开/公告号CN114267634A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华虹半导体(无锡)有限公司;

    申请/专利号CN202111576126.X

  • 申请日2021-12-21

  • 分类号H01L21/768(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

  • 入库时间 2023-06-19 14:43:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-01

    公开

    发明专利申请公布

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