相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及相移掩模

摘要

本发明提供一种具有相位控制性良好且通过使用氯氧气体的蚀刻而得到的图案形状优异的相移膜的相移掩模坯料。所述相移掩模坯料具有透明基板、及形成于透明基板上的相移膜，相移膜在波长200nm以下的曝光波长下的相位差为160～200°、透射率为3～15％，相移膜从透明基板侧开始依次包含下层与上层，上层含有过渡金属、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧，下层含有铬、硅、氮和/或氧，相对于下层的铬与硅的合计，硅的含有率为3％以上且小于15％，且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.7，且氟类的干法蚀刻中的上层与下层的蚀刻选择比为10以上。