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一种微光机电系统制备方法

摘要

本发明涉及一种微光机电的制备方法,包括以下步骤:在第一SOI硅片的顶层硅上形成图形化的高反膜和顶层硅电极以及检测电极;图形化的第二SOI硅片顶层硅与高反射薄膜共同形成可动滤光结构,图形化的金属支撑柱下方与顶层硅连接;将S3制备好的可动滤光结构层晶圆对准键合于S2制备好的固定滤光结构层晶圆上方,可动滤光结构中的金属支撑柱与固定滤光结构中的金属支撑柱键合形成支撑柱;取两面抛光后的标准晶圆作为盖帽层,在盖帽正面制备有金属Pad点与垂直导电引线连接;本发明的有益效果是:该制备方法兼容光学与MEMS制备工艺,可批量制造,采用该方法制备得到的微光机电系统具有集成度高、光学占空比大、静电驱动力大、易与探测器集成等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN114132891A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东光电集成器件研究所;

    申请/专利号CN202111479847.9

  • 发明设计人 王鹏;王帆;张帅;包星晨;陈博;

    申请日2021-12-07

  • 分类号B81C1/00(20060101);B81B7/02(20060101);

  • 代理机构34113 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人杨晋弘

  • 地址 233030 安徽省蚌埠市经开区汤和路2016号

  • 入库时间 2023-06-19 14:25:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-04

    公开

    发明专利申请公布

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