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一种碳化硅微通道反应器制备中间品及制备方法

摘要

本发明提出了一种碳化硅微通道反应器制备中间品及制备方法,一次成型制备出整个碳化硅微通道反应器,无需分片制备再键合加工,加工工艺简单、成本极低、成品率高,且能防止因键合加工的不确定性导致的内通道间漏液问题;采用锡、铅、包含锡的合金或者包含铅的合金制作微通道模具或换热通道模具,便于加工或者浇铸成型,且预埋在碳化硅生胚粉体中可以承受高压,便于在生胚内形成高精度微通道或换热通道;锡、铅、包含锡的合金或者包含铅的合金在熔化后,有很好的流动性且不会渗透到碳化硅生胚内部,非常容易从进出液口排出。

著录项

  • 公开/公告号CN114105645A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉国新高科科技有限公司;

    申请/专利号CN202111554811.2

  • 发明设计人 郭春明;赵兴;窦康康;杨秋波;

    申请日2021-12-17

  • 分类号C04B35/565(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/64(20060101);B28B1/54(20060101);B28B3/02(20060101);B28B7/00(20060101);B28B7/42(20060101);B28B11/24(20060101);

  • 代理机构42247 武汉红观专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曾国辉

  • 地址 430000 湖北省武汉市汉阳区黄金口三村270号黄金口科技企业孵化产业基地孵化器大楼B座第17层1707号

  • 入库时间 2023-06-19 14:22:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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