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一种基于腔QED系统的双向多通道全光开关及控制方法

摘要

本发明公开了一种基于腔QED系统的双向多通道全光开关及控制方法,该全光开关包括透明的真空腔室和位于其内部的左腔镜和右腔镜,左腔镜和右腔镜水平对称设置,真空腔室外部左侧设置入射激光器和反射信号探测器,真空腔室外部右侧设置透射信号探测器;所述真空腔室内设置铷释放剂,真空腔室外设置磁光阱装置,在磁光阱装置的作用下,铷释放剂释放的铷‑85冷原子汇聚在由左腔镜和右腔镜形成的共焦腔的中心位置处,形成铷‑85冷原子团;所述真空腔室外部垂直于铷‑85冷原子团位置设置控制激光器。本发明所公开的全光开关可实现原子多能级激发的无相互作用、宽带、双向可用、多通道的目的,并且该全光开关结构简单、便于使用和易于调节。

著录项

  • 公开/公告号CN114114552A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉科技大学;

    申请/专利号CN202111374887.7

  • 发明设计人 王立勇;

    申请日2021-11-19

  • 分类号G02B6/35(20060101);

  • 代理机构37247 青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘娜

  • 地址 430081 湖北省武汉市和平大道947号

  • 入库时间 2023-06-19 14:20:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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