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失效位元修补方案的确定方法、装置及芯片

摘要

本公开是关于一种失效位元修补方案的确定方法、装置及芯片,涉及集成电路技术领域,可以应用于对芯片中的失效位元进行修补场景。该失效位元修补方案的确定方法包括:确定含有所述失效位元的待修补子域,以及为所述待修补子域确定初步用于修补的所述子域冗余电路;根据当前所述全域冗余电路用于替换所述初步用于修补的所述子域冗余电路后的可使用数量和所述当前所述子域冗余电路的可使用数量,确定所述待修补子域的区域层级;根据所述待修补子域的所述区域层级,控制所述全域冗余电路或者所述子域冗余电路修补所述失效位元。本公开可以有效提高芯片的制程良率,减少芯片报废的情况发生。

著录项

  • 公开/公告号CN114121129A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;

    申请/专利号CN202010904166.1

  • 发明设计人 陈予郎;

    申请日2020-09-01

  • 分类号G11C29/44(20060101);H01L27/02(20060101);

  • 代理机构11438 北京律智知识产权代理有限公司;

  • 代理人王辉;阚梓瑄

  • 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

  • 入库时间 2023-06-19 14:19:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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