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失效位元修补方案的确定方法及装置

摘要

本公开是关于一种失效位元修补方案的确定方法及装置,涉及集成电路技术领域,可以应用于对芯片中的失效位元进行修补场景。该失效位元修补方案的确定方法包括:确定待修补芯片的待修补区域;其中,待修补区域包括多个目标修补区域;采用备用电路对各目标修补区域中的失效位元进行初始修补处理;如果剩余备用字线数量大于零且剩余备用位线数量大于零,则确定各目标修补区域的候选修补子方案,并确定各候选修补子方案分别对应的候选修补代价;根据各候选修补子方案和候选修补代价确定待修补区域的目标修补方案;其中,目标修补方案对应的综合修补代价最小。本公开可以在有限的RWL与RBL情况下,确定出最佳的分派解答。

著录项

  • 公开/公告号CN114078561A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;

    申请/专利号CN202010832380.0

  • 发明设计人 陈予郎;

    申请日2020-08-18

  • 分类号G11C29/44(20060101);

  • 代理机构11438 北京律智知识产权代理有限公司;

  • 代理人王辉;阚梓瑄

  • 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

  • 入库时间 2023-06-19 14:14:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/44 专利申请号:2020108323800 申请日:20200818

    实质审查的生效

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