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公开/公告号CN114121920A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十三研究所;
申请/专利号CN202111308378.4
发明设计人 崔璐;王晓燕;张厚博;杨红伟;李晓红;王媛媛;王英顺;程义涛;车相辉;沈牧;房玉锁;赵欣;郭君;
申请日2021-11-05
分类号H01L25/16(20060101);H01S5/026(20060101);
代理机构13120 石家庄国为知识产权事务所;
代理人张一
地址 050051 河北省石家庄市合作路113号
入库时间 2023-06-19 14:19:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
公开
发明专利申请公布
机译: 大功率激光二极管是通过在激光二极管芯片的电极表面上通过晶粒键合形成堆叠结构的方法及其制造方法
机译: 形成多芯片堆叠结构的方法,该多芯片堆叠结构包括具有与另一芯片面对面结合的薄中介层芯片
机译:大功率半导体激光器铟焊料芯片键合的可靠性研究
机译:基于InGaAs / GaAs / InGaP异质结构的大功率半导体激光器的电光建模
机译:基于大功率半导体激光器中不同Q因子模态结构竞争的光电池模型
机译:3D堆叠倒装芯片封装过程中堆叠芯片的影响和流体/结构相互作用模拟
机译:大功率半导体激光器纵向空间烧孔的计算和实验验证
机译:通过与寡核苷酸微芯片杂交进行DNA序列分析:MALDI质谱鉴定连续堆叠到微芯片寡核苷酸的5mers
机译:倒装芯片技术安装三维堆叠硅芯片的结构设计,以使其残余应力最小化
机译:光学引导基板,用于堆叠多芯片模块和芯片级封装中的低成本光互连