半导体外延结构及其应用、半导体外延结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体外延结构及其应用、半导体外延结构的制作方法，其中所述半导体外延结构至少包括：第一类型半导体层；发光层，设置在所述第一类型半导体层上；以及第二类型半导体层，设置在所述发光层上；其中，所述发光层包括周期性层叠设置的势阱层和势垒层，且所述发光层中间区域的至少部分所述势垒层被掺杂，且掺杂类型与所述第二类型半导体层的掺杂类型相同。通过本发明提供的一种半导体外延结构及其制作方法、发光二极管，可提高光效和光输出功率。