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公开/公告号CN114122268A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 南通大学;
申请/专利号CN202111412200.4
发明设计人 许美凤;吴哲;张彦;朱培涛;王超男;许田;金永龙;
申请日2021-11-25
分类号H01L51/48(20060101);H01L51/42(20060101);
代理机构32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);
代理人许洁
地址 226000 江苏省南通市啬园路9号
入库时间 2023-06-19 14:19:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
公开
发明专利申请公布
机译: 用于有机场效应晶体管的基板,该基板的用途,一种用于提高电荷载流子迁移率的方法以及有机场效应晶体管(ofet)
机译: 用于电子组件的基板,该基板的用途,一种用于提高电荷载流子迁移率的方法和有机场效应晶体管(ofet)
机译: 用于有机场效应晶体管的基板,所述基板的用途,提高电荷载流子迁移率的方法以及有机场效应晶体管(OFET)
机译:一种多级贝叶斯方法,提高代谢组族数据回归建模效应估计利用不确定性
机译:甲胺脒中的重水添加剂:一种提高钙钛矿太阳能电池效率的新方法
机译:一种表征漏极工程MOSFET的结构相关的热载流子效应的新方法
机译:一种模拟热载流子效应对MOS晶体管阈值电压的影响的简单方法
机译:一种利用自由载流子色散效应和辐射损耗机制的硅波导光调制器。
机译:一种多级贝叶斯方法提高代谢组族数据回归建模效应估计利用不确定性
机译:通过对电荷转移荧光和光电流研究的磁场效应研究的光电导聚合物膜上的载流子生成方法
机译:高T(sub c)铜氧化物中的电荷转移极化波和载流子配对