公开/公告号CN114127731A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 美商新思科技有限公司;
申请/专利号CN202080051730.8
申请日2020-07-16
分类号G06F30/39(20200101);G06F30/392(20200101);G03F1/36(20120101);G03F1/44(20120101);G03F1/70(20120101);G03F1/78(20120101);G06F16/51(20190101);G06F111/20(20200101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 14:19:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
公开
国际专利申请公布
机译: 具有用于形成集成电路芯片的不同区域的单独掩模的掩模组,包括具有光圈装置的掩模组的曝光系统以及使用该掩模组对半导体晶片进行曝光的方法
机译: 晶片,即硅晶片,用于制造半导体芯片的集成电路的边缘保护方法,涉及去除掩模,并在去除了焊盘氮化物层的区域中通过局部氧化产生局部氧化物层。
机译: 集成电路输出触点到通信接口触点的电连接,用于芯片卡,涉及在绝缘掩模界定的连接区域上沉积导电引线