改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构

摘要

适用本发明之一实施例的改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构，包括：第1基板，形成有包括下部电极、压电层以及上部电极的多个薄膜体声波谐振器，以及与上述下部电极或上部电极连接的第1焊接焊盘；以及，第2基板，包括贯通基板的多个导通孔，在上述各个导通孔两端的与上述第1基板相向的面上形成有第2焊接焊盘，而在不与上述第1基板相向的面上形成有多个外部连接焊盘；通过本发明，可以提供与现有方式相比改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构，还可以同时满足薄膜体声波谐振器(FBAR)芯片结构及封装的电力容差性能以及封装小型化需求。