机译:薄膜体声波谐振器装置中W / SiO_2多层的热退火改善了谐振特性。
School of Engineering, Information and Communications University (ICU), 103-6, Munji-dong, Yusong-gu, Daejon 305-714, Korea;
FBAR devices; ZnO; resonance characteristics; Q-factor; return loss;
机译:通过使用Ru缓冲层和退火处理来改善ZnO薄膜的结晶度和薄膜压电谐振器的频率特性
机译:AlN膜厚度和顶部电极材料对薄膜体声波谐振器器件特性的影响
机译:使用X-LIAO_3薄板和SiO_2 / TA多层声膜的稳固安装的高频,厚度剪切模式散装声波谐振器
机译:通过使用ZnO / Al_2O_3 / SiO_2的多层结构的1.8GHz系列膜散装声波谐振器的应力调整和特性改进
机译:氧化锌基多层体声波器件的特性。
机译:散装声波谐振器的材料设计和特性:综述
机译:Q因子提高的可调谐薄膜体声波谐振器
机译:微型薄膜BaW(体声波)谐振器及滤波技术的发展进展。