用于半导体器件的钝化结构化和镀覆

摘要

公开了用于半导体器件的钝化结构化和镀覆。在此描述了一种方法和通过该方法生产的功率半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成结构化的金属化层；在结构化的金属化层上形成保护层；在结构化的金属化层上形成第一钝化，其中保护层被插入在第一钝化和结构化的金属化层之间；对第一钝化进行结构化以暴露保护层的一个或多个区；移除保护层的一个或多个被暴露的区以暴露结构化的金属化层的一个或多个部分；以及在结构化第一钝化并且移除保护层的一个或多个被暴露的区之后，在第一钝化上形成第二钝化并且对结构化的金属化层的一个或多个被暴露的部分进行无电镀覆。