具有带弯曲的非平坦表面的自由铁磁材料层的存储器基元和制造这种存储器基元的方法

摘要

本公开涉及一种具有带弯曲的非平坦表面的自由铁磁材料层的存储器基元和制造这种存储器基元的方法。本文公开的示例性存储器基元包括：底部电极；位于底部电极上方的顶部电极；以及位于底部电极上方且位于顶部电极下方的MTJ(磁隧道结)结构。在该示例中，MTJ结构包括：位于底部电极上方的第一铁磁材料层；位于第一铁磁材料层上方的非磁性绝缘层；以及位于非磁性绝缘层上的第二铁磁材料层，其中非磁性绝缘层和铁磁材料层之间存在弯曲的非平坦界面。