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一种低插入损耗高线性度的单刀双掷开关

摘要

本发明公开了一种低插入损耗高线性度的单刀双掷开关,开关的电路拓扑结构包含四部分:天线端口级、发射端口级、接收端口级、收发控制级,所述发射端口级拓扑基于串联型开关进行设计。所述接收端口级拓扑基于并联型开关进行设计。所述电路拓扑结构整体采用非对称式结构。本发明的有益效果为:1、本发明提供的单刀双掷开关电路拓扑,采用串联型结构和并联型结构相结合的方法,可以实现较宽工作频带。2、本发明提供的单刀双掷开关电路拓扑,发射端口级基于串联型开关设计,通过选取尺寸较大的晶体管来提高线性度。3、本发明中天线端口级采用阻抗变换网络提高等效阻抗,可以实现发射到天线通路与天线到接收通路之间的良好隔离。

著录项

  • 公开/公告号CN114079480A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN202111297515.9

  • 申请日2021-11-04

  • 分类号H04B1/40(20150101);H04B1/401(20150101);H04B1/44(20060101);H04B1/525(20150101);H03K17/687(20060101);

  • 代理机构12107 天津市三利专利商标代理有限公司;

  • 代理人张义

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2023-06-19 14:14:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04B 1/40 专利申请号:2021112975159 申请日:20211104

    实质审查的生效

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