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半导体装置及与非型闪速存储器的读出方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及与非型闪速存储器的读出方法,可进行高速读出或高可靠性的读出。本发明的与非型闪速存储器的读出方法包括:预充电步骤,通过电压供给节点对感测节点进行预充电;放电步骤,为了进行规定的动作,将感测节点放电至电压供给节点;再充电步骤,在规定的动作后,通过电压供给节点对感测节点进行再充电;以及读出步骤,对与非串进行放电,并对存储单元进行感测。

著录项

  • 公开/公告号CN114067891A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华邦电子股份有限公司;

    申请/专利号CN202110418808.1

  • 发明设计人 冈部翔;妹尾真言;

    申请日2021-04-19

  • 分类号G11C16/26(20060101);G11C16/24(20060101);G11C7/12(20060101);G11C7/10(20060101);

  • 代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;

  • 代理人朱颖;刘芳

  • 地址 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号

  • 入库时间 2023-06-19 14:12:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/26 专利申请号:2021104188081 申请日:20210419

    实质审查的生效

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