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TEM截面样品的制备方法和TEM截面样品

摘要

本发明的实施例提供了一种TEM截面样品的制备方法和TEM截面样品,涉及纳米材料技术领域,其首先制备带有标记槽的待处理样品,且待处理样品的观测区域与标记槽在待处理样品的延展方向上间隔设置,然后对待处理样品上具有标记槽的表面进行减薄处理,以扩大标记槽的宽度和深度,当标记槽的边缘到达观测区域时,停止离子束减薄处理。相较于现有技术,本发明在观测区域附近引入标记槽,从而实现对样品进行定向减薄,进而实现减薄样品的厚度可控,当标识槽底部到达观测时,停止离子束减薄,有效解决了减薄过程中截面样品观测处被去除掉的问题,极大提高了截面样品的制备成功率和测试效率,有效降低了截面样品的制备成本,缩短了制备时间。

著录项

  • 公开/公告号CN114034528A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广东省科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN202111312641.7

  • 申请日2021-11-08

  • 分类号G01N1/28(20060101);

  • 代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张金铭

  • 地址 510651 广东省广州市天河区长兴路363号

  • 入库时间 2023-06-19 14:11:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-11

    公开

    发明专利申请公布

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