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公开/公告号CN114034528A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 广东省科学院半导体研究所;
申请/专利号CN202111312641.7
发明设计人 李全同;刘珠明;张衍俊;王长安;宋鹏程;陈志涛;
申请日2021-11-08
分类号G01N1/28(20060101);
代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张金铭
地址 510651 广东省广州市天河区长兴路363号
入库时间 2023-06-19 14:11:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-11
公开
发明专利申请公布
机译: TEM样品制备方法,TEM样品和薄截面样品
机译: 通过聚焦离子束沉积和各向异性蚀刻大量生产横截面TEM样品
机译:沉积在金属基底上的薄膜截面TEM样品的改进制备方法
机译:用于沉积在聚合物基材上的金属薄膜横截面的另一种FIB TEM样品制备方法(会议论文)
机译:用于沉积在金属基底上的膜的截面TEM样品制备方法
机译:利用fib刻蚀的薄膜晶体管截面TEM样品制备方法
机译:用于TEM分析的碳纳米管复合样品制备的切片机切割工艺的改进。
机译:一种快速和植入的样品生产方法用于大型电子透明金属样品用于基于MEMS的原位S / TEM实验
机译:具有FIB的样品制备方法,用于材料科学的原位TEM观测 ^ ^ MDASH; FIB用玻璃机械手^ ^ mdash制备TEM样本;
机译:自支撑金属多层膜的横截面TEm样品制备。