法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-01
公开
发明专利申请公布
机译: 集成半导体电路装置的制造包括:形成具有第一类型的场效应晶体管的半导体电路;以及形成侧边缘区域,以保护栅电极下方的栅绝缘。
机译: 一种用于生产电路的方法,该电路具有至少一个场效应晶体管,该场效应晶体管具有源极,漏极和栅电极,并且该层在公共衬底上具有至少一个欧姆电阻
机译: 一种用于生产电路的方法,该电路具有至少一个场效应晶体管,该场效应晶体管具有源极,漏极和栅电极,并且该层在公共衬底上具有至少一个欧姆电阻