公开/公告号CN114005832A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN202111266556.1
发明设计人 刘涛;
申请日2021-10-28
分类号H01L27/11524(20170101);H01L21/768(20060101);H01L27/11529(20170101);H01L27/11536(20170101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人周耀君
地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号
入库时间 2023-06-19 14:05:00
机译: 包括控制器和能够降低功耗的NAND闪存器件的NAND闪存器件和系统
机译: 用于形成半导体器件的图案的方法,该半导体器件用于形成无缺陷的NAND闪存器件的单元区域中的器件隔离层
机译: 非易失性半导体存储器件的存储单元阵列结构,非易失性半导体存储器件,装置的存储单元阵列访问方法,NAND闪存器件和半导体存储器