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托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统及刻蚀深度标定方法

摘要

托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统及刻蚀深度标定方法,涉及核聚变装置技术领域。托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统,包括真空装置、刻蚀装置和观测装置;真空装置包括真空气氛腔室、真空泵组和真空规;刻蚀装置包括刻蚀平台、光纤激光器和主控电脑。托卡马克第一壁材料刻蚀深度标定方法,步骤如下:预处理;离子注入;获取烧蚀前的13C离子浓度分布情况;激光刻蚀;计算激光刻蚀深度;获取激光刻蚀后的13C离子浓度分布情况;建立13C离子浓度与刻蚀深度对应关系的数据库。本发明将示踪元素13C用于托卡马克第一壁材料腐蚀深度的标定,为在线测量托卡马克第一壁材料的腐蚀深度提供了切实可行的方案。

著录项

  • 公开/公告号CN113983948A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南华大学;

    申请/专利号CN202111243834.1

  • 申请日2021-10-25

  • 分类号G01B11/22(20060101);

  • 代理机构43101 衡阳市科航专利事务所(普通合伙);

  • 代理人刘政旺

  • 地址 421001 湖南省衡阳市蒸湘区常胜西路28号

  • 入库时间 2023-06-19 14:03:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-08-18

    授权

    发明专利权授予

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