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良率晶圆图的形成方法及装置、可读存储介质、终端

摘要

一种良率晶圆图的形成方法及装置、可读存储介质、终端,所述方法包括:基于预设的横向芯片数量和纵向芯片数量,确定第一形状晶圆图;基于设定的失效芯片所形成的图形,确定所述第一形状晶圆图中失效芯片的数量和位置;基于所述第一形状晶圆图中失效芯片的数量和位置,获得与所述第一形状晶圆图相对应的第二形状良率晶圆图。本发明有机会提高失效芯片标记的准确性和便利性,并且可以有效减少绘制总量。

著录项

  • 公开/公告号CN113990777A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 全芯智造技术有限公司;

    申请/专利号CN202111159019.7

  • 发明设计人 不公告发明人;

    申请日2021-09-30

  • 分类号H01L21/67(20060101);H01L27/02(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人武振华;骆苏华

  • 地址 230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期J2C栋13楼

  • 入库时间 2023-06-19 14:01:55

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