一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制备方法

摘要

一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制备方法，属于辐射防护材料领域。本发明解决目前的高低Z交替叠层的涂层工艺复杂，需要进行多次涂覆并干燥，耗时较长且防护能力有限的问题；也无法实现具有柔性的技术问题。本发明由MAX相陶瓷基体，经过刻蚀后，得到层状结构的Ti3C2Tx材料，然后通过原子层沉积技术将高Z金属沉积到Mxene层状结构中得到复合材料，再将复合材料与树脂基体进行混合后涂覆于SOI器件表面，即得到辐射防护涂层。本发明的材料可用于生活中的防辐射服、医疗方面及核反应中所需的和防护领域。