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一种光吸收能力强的光敏二极管及制备方法

摘要

本发明提供一种光吸收能力强的光敏二极管及其制备方法,在晶圆表面的接触孔和受光区域中生长介质层,得到受光区域的增透膜结构;然后对介质层进行第二次接触孔光刻,得到欧姆接触孔;然后在晶圆表面溅射金属薄膜,进行第一次光刻、刻蚀工艺保留受光区域和欧姆接触孔上的顶层金属层;然后在晶圆表面淀积钝化层,并将受光区域上的钝化层去掉;然后在晶圆表面受光区域的顶层金属层进行第二次光刻、刻蚀工艺,去掉受光区域的金属薄膜,退火,得到光敏二极管,通过上述方法本发明实现调节光敏二极管受光区增透膜材料和结构的目的,从而增强光敏二极管对指定波长光线的吸收能力,提高光敏二极管的电流传输比(CTR),最终提升光电耦合器传输特性。

著录项

  • 公开/公告号CN113990983A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安微电子技术研究所;

    申请/专利号CN202111243682.5

  • 申请日2021-10-25

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L31/102(20060101);H01L31/108(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人白文佳

  • 地址 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号

  • 入库时间 2023-06-19 14:01:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-01-28

    公开

    发明专利申请公布

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