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基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器

摘要

本发明公开一种基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器,包括二氧化硅衬底,以及设置在二氧化硅衬底的至少一个金属纳米单元;每个金属纳米单元由金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒组成;金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒之间存在间隙;金属纳米缺陷圆盘为边缘带有的矩形缺口的圆形;金属纳米棒为矩形;金属纳米缺陷圆盘上的矩形缺口朝向金属纳米棒方向,且矩形缺口的宽边中心线与金属纳米棒的宽边中心线的中线垂直。本发明通过金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒产生偶极子,两偶极子相互耦合产生一个表面等离子共振峰。通过改变金属纳米单元的几何参数,可以实现表面等离子共振的共振强度及共振波长位置的调控,并获得高灵敏度。

著录项

  • 公开/公告号CN113945545A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桂林电子科技大学;

    申请/专利号CN202111331624.8

  • 发明设计人 曾丽珍;徐燕萍;肖功利;杨宏艳;

    申请日2021-11-11

  • 分类号G01N21/59(20060101);G01N21/01(20060101);

  • 代理机构45107 桂林市持衡专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陈跃琳

  • 地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

  • 入库时间 2023-06-19 13:57:16

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