首页> 中国专利> 一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法

一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法

摘要

本申请公开了一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法,包括集成电路基板和设于集成电路基板上表面的像素器件;像素器件包括像素单元和设于像素单元一侧的吸气单元,吸气单元包括设于集成电路基板上表面的吸气剂层,支撑层,设于支撑层上表面的密封层;吸气单元中的空腔与像素单元的空腔连通;或者,像素器件包括设于集成电路基板上表面的吸气剂层和反射层,设于反射层上方且与反射层相对应的红外传感器单元。像素器件包括像素单元和设于像素单元一侧的吸气单元,吸气剂层并不设于像素单元中;或者像素器件中吸气剂层不与红外传感器单元对应,避免吸气剂层对红外传感器单元的影响,提升非制冷红外探测器性能。

著录项

  • 公开/公告号CN113948542A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 烟台睿创微纳技术股份有限公司;

    申请/专利号CN202111217019.8

  • 申请日2021-10-19

  • 分类号H01L27/146(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人张艺

  • 地址 264006 山东省烟台市烟台开发区贵阳大街11号

  • 入库时间 2023-06-19 13:55:46

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号