用于基板处理的斜面剥离及缺陷解决方案

摘要

公开了用于在基板上的材料层的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)期间和之后减少斜面剥离的方法和设备。在一个实施例中，一种处理基板的方法包括以下步骤：将基板定位在处理腔室的处理容积中；用由处理气体形成的处理等离子体对基板的表面进行等离子体处理；将基板吸附到基板支撑件；以及通过将基板的表面暴露于沉积等离子体来将材料层沉积到基板的表面上。在此，处理气体基本上不含碳、硅或金属沉积前驱物，并且用于形成处理等离子体的RF功率小于约1.42瓦特每平方厘米基板表面(W/cm2)。沉积等离子体由碳、硅或金属前驱物中的一种或其组合形成，并且用于点燃和维持沉积等离子体的RF功率大于约2.12W/cm2。