基于多重稀释法的半导体溶剂ICP-MS测定方法

摘要

本发明提供一种基于多重稀释法的半导体化学品ICP‑MS测定方法，包括如下步骤：首先将不能与水混合的待测定的半导体溶剂，加入助溶溶剂成为混合有机溶剂；然后将混合有机溶剂加纯水稀释得到1#稀释样品；再将1#稀释样品再加入纯水进行稀释得到2#稀释样品；对于待测定的半导体溶剂中的一种元素，以1#稀释样品，用电感耦合等离子质谱仪扫描得到标准曲线并计算出1#稀释样品的浓度C1；同理计算出2#稀释样品中该种元素的浓度C2；并将结果带入拟合算法公式，得到该元素在待测定的半导体溶剂中的浓度。本发明通过同一样品不同稀释倍数法，对混合基体ICP‑MS测定的信号值进行背景拟合运算，实现痕量元素的准确测定。