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用于双自由层读头的有效后硬偏置

摘要

本发明题为“用于双自由层读头的有效后硬偏置”。本公开大体上涉及具有双自由层(DFL)传感器的读头。所述读头具有安置于两个屏蔽件之间的传感器。所述传感器是DFL传感器且具有在面对介质的表面(MFS)处的表面。在所述DFL传感器后方且远离所述MFS的是后硬偏置(RHB)结构。所述RHB结构也安置于所述屏蔽件之间。在所述DFL传感器与所述RHB结构之间的是绝缘材料。RHB安置于所述绝缘材料上。所述RHB包含RHB晶种层以及RHB主体层。所述RHB晶种层具有26埃与35埃之间的厚度。所述RHB晶种层确保所述读头具有可均匀地施加的强RHB磁场。

著录项

  • 公开/公告号CN113936696A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西部数据技术公司;

    申请/专利号CN202110283387.6

  • 发明设计人 毛明;D·毛里;C-J·钱;李冠雄;

    申请日2021-03-17

  • 分类号G11B5/31(20060101);G11B5/55(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐东升

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 13:54:12

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