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公开/公告号CN113936696A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-14
原文格式PDF
申请/专利权人 西部数据技术公司;
申请/专利号CN202110283387.6
发明设计人 毛明;D·毛里;C-J·钱;李冠雄;
申请日2021-03-17
分类号G11B5/31(20060101);G11B5/55(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人徐东升
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 13:54:12
机译: 双自由层读头的有效后硬偏压
机译: 具有第二硬偏置层和自由层的布置的自固定对接接合头,用于在自由层上提供净净纵向偏置
机译: 双自由层隧道磁阻读头横向偏置强度增强
机译:抑制由具有非晶层插入的自由层组成的双势垒磁性隧道结中的偏置电压依赖性
机译:具有NiFe / Co / sub 90 / Fe / sub 10 /层的自旋阀读头,用于5 Gbit / in / sup 2 /密度记录
机译:包含双势垒和CoFe / NiFeSiB / CoFe自由层的磁隧道结的偏置电压依赖性
机译:离子束沉积Copt和Cocrpt薄膜的磁性,用于高密度磁阻头的硬偏置应用
机译:磁读头的自旋过滤器自旋阀偏置。
机译:偏置电位交换多站点λ动力学用于有效的自由能计算
机译:子ns自旋转移开关:比较自由层偏置的好处 和固定层偏置
机译:交换偏置Co / CoO211双层膜的训练效果和微观磁结构