机译:具有NiFe / Co / sub 90 / Fe / sub 10 /层的自旋阀读头,用于5 Gbit / in / sup 2 /密度记录
机译:NiFe / CoFeB自旋阀头,可进行超过5 Gbit / in / sup 2 /密度记录
机译:5 Gb / in / sup 2 /带有NiFe / Co / sub 90 / Fe / sub 10 /自旋阀头和低噪声薄膜磁盘的记录演示
机译:用于高密度记录的旋转阀读头的设计,制造和测试
机译:旋转阀读头与NiFE / CO90FE10层为5 Gbit / In2密度记录
机译:各向异性磁阻和自旋阀读数头的偏置材料。
机译:作者更正:使用单个SyAF Co / Pt n层的基于Co2Fe6B2顶层自由层的基于MgO的垂直双隧道垂直磁隧道结自旋阀结构
机译:90°磁耦合在NiFe / emn /偏置NiFe多层旋转阀组件中,由偏振中子反射测量进行研究
机译:接近100 Gbit / sq。记录密度