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一种基于NAND Flash的坏块管理方法

摘要

本发明公开一种基于NAND Flash的坏块管理方法,本方法将两种坏块管理策略结合起来,根据SSD的不同Die上的坏块情况来采用不同的坏块管理方式对坏块进行管理。在SSD的生命周期初期,这时的坏块较少,宜采用替换策略的坏块管理方式,随着时间的推移,坏块变多,此时宜采用略过策略管理坏块。在整个SSD生命周期中统计每一条Die上坏块个数,根据每一条Die上坏块个数来判断调整坏块管理方式。将两种坏块管理方式的优势结合起来,保证写入并行度的同时还能避免因某一个Die上坏块过多造成的整个SSD可使用空间变少的情况。

著录项

  • 公开/公告号CN113921071A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东华芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN202111157900.3

  • 发明设计人 季亚男;高美洲;

    申请日2021-09-30

  • 分类号G11C29/00(20060101);

  • 代理机构37218 济南泉城专利商标事务所;

  • 代理人赵玉凤

  • 地址 250101 山东省济南市高新区经十东路汉峪金谷A2-3第16层1601室

  • 入库时间 2023-06-19 13:51:08

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