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一种新型HVPE法生长氮化镓单晶的炉体结构

摘要

本发明公开了一种新型HVPE法生长氮化镓单晶的炉体结构,包括:存放腔体,加热腔,操控室,生长炉体,气体控制系统以及尾气处理系统,存放腔体,包括有顶壁、及侧壁,顶壁开设有圆通口,存放腔体内容设有炉底盖、及升降装置,炉底盖设有上开口,升降装置是驱动炉底盖选择性地向上移动使其上开口趋近靠合于顶壁的圆通口、或向下移动远离顶壁的圆通口;加热腔,设置于存放腔体的顶壁上方,加热腔设有下开口,下开口是对应罩合于顶壁的所述圆通口上;所述操控室并排设置于所述存放腔体的侧壁一侧,所述侧壁上开设有一隔离门,所述隔离门是选择式地关闭以隔绝所述操控室与所述存放腔体之间、或打开以连通所述操控室与所述存放腔体之间。

著录项

  • 公开/公告号CN113818084A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中芯研(江苏)半导体有限公司;

    申请/专利号CN202110890100.6

  • 发明设计人 张雷;王国栋;

    申请日2021-08-04

  • 分类号C30B29/40(20060101);C30B23/00(20060101);

  • 代理机构32558 苏州博格华瑞知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张燕

  • 地址 215000 江苏省苏州市高新区科灵路78号软件园5号楼202(2)-19室

  • 入库时间 2023-06-19 13:48:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-09-01

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B29/40 专利申请号:2021108901006 申请公布日:20211221

    发明专利申请公布后的撤回

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