检查装置中的接触解除方法和检查装置

摘要

本发明提供接触解除方法和检查装置，在将探针按压在基片上使二者接触来进行基片检查时，无需降低按压力就能够防止解除接触时产生较长的接触痕。该方法用于在对基片进行检查的检查装置中解除检查用的探针与基片之间的接触，在探针按压于基片而与之接触的状态下，由载置部件、筒状部件和探针卡包围的检查空间被减压并且经密封部将载置部件吸附保持于筒状部件，包括：使位置对准机构上升至预定位置来靠近载置部件的步骤；停止检查空间的减压，并以探针对基片的按压状态下的接触不被解除的方式利用位置对准机构支承载置部件的步骤；使保持了载置部件的位置对准机构下降来解除接触的步骤；和停止经密封部实现的筒状部件对载置部件的吸附保持的步骤。

说明书

技术领域

本发明涉及检查装置中的接触解除方法和检查装置。

背景技术

专利文献1公开了一种晶圆检查装置，其包括多个测试机(tester)和用于搬运晶圆的搬运台。在专利文献1中，该检查装置设置了可伸缩的波纹管使其包围测试机的探针卡(probe card)，并将晶圆载置在由厚板部件构成的顶部吸盘(chuck top)上。并且，将顶部吸盘支承在搬运台上，在使搬运台与晶圆和顶部吸盘一起与探针卡对置后，使搬运台向探针卡移动来使顶部吸盘与波纹管抵接。接着，在顶部吸盘与波纹管抵接后，仍然使搬运台与晶圆和顶部吸盘一起向探针卡移动，从而使晶圆与探针卡抵接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-75420号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

采用本发明的技术，在将探针按压在基片上使二者接触来进行基片检查的情况下，无需降低按压力，就能够防止在解除基片与探针的接触时产生较长的接触痕。

解决问题的技术手段

本发明的一个技术方案提供一种接触解除方法，用于在对基片进行检查的检查装置中解除检查用的探针与基片之间的接触，所述检查装置包括：用于载置基片的板状的载置部件；位置对准机构，其保持所述载置部件并使之移动，来进行载置在所述载置部件上的基片与所述探针之间的位置对准；和以包围探针卡的方式下垂的筒状且能够伸缩的筒状部件，探针卡上设置有多个所述探针，其中，在所述探针被按压于基片从而与基片接触的状态下，由所述载置部件、所述筒状部件和所述探针卡包围的检查空间被实施减压，并且所述载置部件经由具有弹性的密封部被吸附保持于所述筒状部件，所述接触解除方法包括：使所述位置对准机构上升至预先设定的位置来靠近正在形成所述检查空间的所述载置部件的步骤；之后，停止所述检查空间的减压，并以所述探针对基片的按压状态下的接触不被解除的方式，利用所述预先设定的位置处的所述位置对准机构支承所述载置部件的步骤；之后，使保持了所述载置部件的所述位置对准机构下降，来解除所述探针对基片的按压状态下的接触的步骤；和之后，停止经由所述密封部实现的所述筒状部件对所述载置部件的吸附保持的步骤。

发明效果

采用本发明，在将探针按压在基片上使二者接触来进行基片检查的情况下，无需降低按压力，就能够防止在解除基片与探针的接触时产生较长的接触痕。

附图说明

图1是用于说明现有的检查装置的图。

图2是表示本实施方式的检查装置的结构之概要的俯视横截面图。

图3是表示本实施方式的检查装置的结构之概要的正视纵截面图。

图4是表示各分割区域内的结构的正视纵截面图。

图5是图4的局部放大图。

图6是用于说明本实施方式的接触解除方法之一例的流程图。

图7是表示本实施方式的接触解除方法的各步骤中顶部吸盘、对准器等的状态的图。

具体实施方式

在半导体制造工艺中，会形成大量的在半导体晶圆(下称“晶圆”)上具有规定电路图案的半导体器件。形成的半导体器件经过电气特性等的检查(测试)，区分为良品和不良品。半导体器件的检查例如是在切割成各半导体器件之前的晶圆状态下，使用检查装置进行的。

检查装置中设置有探针卡，其具有大量由针状接触端子构成的探针。在进行电气特性检查时，首先使晶圆靠近探针卡，使形成在晶圆上的半导体器件的各电极与探针卡的探针接触。在该状态下，从设置于探测卡上方的测试机经各探针对半导体器件供给电信号。接着，基于测试机经各探针从半导体器件接收到的电信号，辨别该半导体器件是否为不良品。

作为检查装置，人们提出了图1所示的装置(例如参照专利文献1)。图1的检查装置设置有顶部吸盘501、波纹管503和对准器(aligner)504，其中，板状的顶部吸盘501用于载置晶圆W，波纹管503能够将顶部吸盘501与探针卡502之间包围而形成密闭空间S，对准器504用于保持顶部吸盘501并使其移动来进行探针卡502的探针502a与晶圆W之间的位置对准(alignment)。该检查装置中，在使探针502a与晶圆W接触时，顶部吸盘501是由对准器504支承的，但在进行检查时，顶部吸盘501则离开对准器504由波纹管503支承。

在图1所示的检查装置中，在使探针502a与晶圆W接触时，首先，使支承顶部吸盘501的对准器504上升来使晶圆W与探针502a抵接。之后，使对准器504继续上升，来使探针502a以所希望的按压力接触晶圆W。然后，将波纹管503形成的上述密闭空间S减压，使得即使在进行检查时顶部吸盘501离开对准器504的状态下，探针502a也以上述所希望的按压力继续与晶圆W接触。

在图1所示的检查装置中，在检查结束后，例如通过将波纹管503形成的上述密闭空间S对大气敞开，来解除探针502a与晶圆W的接触。此时，例如来自探针502a的反作用力作用在偏离晶圆W重心的位置处，在顶部吸盘501上产生绕顶部吸盘501中心的力矩，由此顶部吸盘501可能会发生倾斜。若该倾斜较大，则在倾斜发生的过程中，在晶圆W的一部分会产生较长的与探针502a之间的接触痕，其结果导致晶圆W上形成的半导体器件会因探针502a而产生破损等。另一方面，虽然通过降低探针502a对晶圆W的按压力，能够防止产生较长的接触痕，但上述按压力的降低可能会导致出现无法适当地进行检查的情况。

为此，本发明的技术之目的在于，在将探针按压在晶圆上使二者接触来进行晶圆检查的情况下，无需降低按压力就能够防止在解除晶圆与探针的接触时产生较长的接触痕。

下面参照附图说明本实施方式的检查装置中的接触解除方法和检查装置。在本说明书和附图中，对于实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。

图2和图3分别是表示本实施方式的检查装置的结构之概要的俯视横截面图和正视纵截面图。

图2和图3的检查装置1用于检查作为基片的晶圆W，具体来说，对形成在晶圆W上的检查对象器件即半导体器件进行电气特性检查。检查装置1具有壳体10，该壳体10设置有搬入搬出区域11、搬运区域12、检查区域13。搬入搬出区域11是用于将晶圆W搬入检查装置1或将晶圆W从检查装置1搬出的区域。搬运区域12是将搬入搬出区域11与检查区域13连接的区域。检查区域13是用于对形成在晶圆W上的半导体器件进行电气特性检查的区域。

搬入搬出区域11设置有装载埠(port)20、装载器21和控制部22，其中，装载埠20用于接收收纳有多个晶圆W的匣盒C，装载器中收纳后述的探针卡，控制部22对检查装置1的各结构要素进行控制。控制部22例如由具有CPU、存储器等的计算机构成，具有程序存储部(未图示)。程序存储部存储对检查装置1中的各种处理进行控制的程序。此外，上述程序也可以记录在计算机可读存储介质中，并从该存储介质安装到控制部22上。程序的一部分或者全部可以通过专用硬件(电路板)实现。

搬运区域12中配置有可在保持着晶圆W等的状态下自由移动的搬运装置30。该搬运装置30在搬入搬出区域11的装载埠20内的匣盒C与检查区域13之间进行晶圆W的搬运。并且，搬运装置30将固定在检查区域13内的后述伸缩块固定框(pogo frame)上的探针卡之中需要维护的探针卡搬运到搬入搬出区域11的装载器21上。并且，搬运装置30将新的或已经维护过的探针卡从装载器21搬运到检查区域13内的上述伸缩块固定框。

在检查区域13设置有多个测试机40。具体来说，检查区域13如图3所示，在铅垂方向上被分割为3部分，各分割区域13a设置有由水平方向(图中X方向)排列的多个(图示例中为4个)测试机40构成的测试机列。另外，在各分割区域13a设置有一个作为位置对准机构的对准器50和一个摄像机60。即，在各分割区域13a中，一个对准器50和一个摄像机60由多个测试机40共用。如后文所述，由于对各测试机40都设置有探针卡，因此一个对准器50和一个摄像机60由多个探针卡共用。此外，测试机40、对准器50、摄像机60的数量和配置能够任意选择。

测试机40在其与晶圆W之间发送、接收电气特性检查用的电信号。对准器50保持用于载置晶圆W的载置部件即顶部吸盘70，使其在左右方向(图2中X方向)、前后方向(图2中Y方向)和上下方向(图2中Z方向)上移动。利用该对准器50，能够进行载置在顶部吸盘70上的晶圆W与后述探针卡的探针之间的位置对准。此外，对准器50设置有后述对探针卡进行拍摄的摄像机50a。

摄像机60水平移动，到达设置有该摄像机60的分割区域13a内的各测试机40之前，拍摄对准器50上的顶部吸盘70上载置的晶圆W。

摄像机60的拍摄结果和设置在对准器50上的摄像机50a的拍摄结果，被用于进行探针卡的探针与顶部吸盘70上的晶圆W上形成的半导体器件的电极之间的位置对准。

顶部吸盘70能够通过吸附等方式保持所载置的晶圆W。

在该检查装置1中，在搬运装置30向一个测试机40搬运晶圆W期间，其他的测试机40能够对其他的晶圆W上形成的电子器件进行电气特性检查。

接着使用图4和图5，说明对准器50的结构和测试机40周围的结构。图4是表示各分割区域13a内的结构的正视纵截面图。图5是图4的局部放大图。

对准器50如图4所示，例如包括X载置台51、Y载置台52和Z载置台53。X载置台51沿导轨51a在左右方向(图4中X方向)上移动。Y载置台52在X载置台51上沿前后方向(图4中Y方向)移动。Z载置台53相对于Y载置台52在上下方向(图4中Z方向)上移动。另外，在该Z载置台53上，以可拆装的方式吸附保持有顶部吸盘70。Z载置台53对顶部吸盘70的吸附保持是通过吸附保持机构(未图示)实施真空吸附等进行的。

通过上述结构，对准器50能够保持载置有晶圆W的顶部吸盘70，使其在左右方向(图4中X方向)、前后方向(图4中Y方向)和上下方向(图4中Z方向)上移动。

在对准器50的Z载置台53上，如图5所示设置有多个移位传感器53a。移位传感器53a例如被用作检测对准器50相对于顶部吸盘70的位置的传感器。该移位传感器53a检测对准器50与顶部吸盘70的距离。具体而言，移位传感器53a检测对准器50的Z载置台53的上表面即保持顶部吸盘70的面与顶部吸盘70的下表面之间的距离。

在对准器50上，设置有调整该对准器50与顶部吸盘70的相对倾斜的倾斜调整机构(未图示)。

对准器50由控制部22控制，并且，移位传感器53a的检测结果被输出到控制部22。

测试机40如图5所示，在底部具有水平设置的测试机主板41。在测试机主板41上，以竖立状态安装有多个检查电路板(未图示)。另外，在测试机主板41的底面设置有多个电极(未图示)。

在测试机40的下方，伸缩块固定框80和探针卡90分别从上侧起依次设置有一个。

伸缩块固定框80支承探针卡90并且将该探针卡90与测试机40电连接，其被配置在位于测试机40和探针卡90之间。该伸缩块固定框80具有将测试机40与探针卡90电连接的伸缩顶针(pogo pin)81，具体来说，具有保持多个伸缩顶针81的伸缩块(pogo block)82。伸缩块固定框80具有框主体83，框主体83上形成有安装孔83a，通过将伸缩块82插嵌到安装孔来安装伸缩顶针81。

探针卡90以位置对准于规定位置的状态支承在伸缩块固定框80的下表面。

测试机主板41通过排气机构(未图示)真空吸附于伸缩块固定框80，并且探针卡90被真空吸附于伸缩块固定框80。在用于进行上述真空吸附的真空吸引力的作用下，伸缩块固定框80的各伸缩顶针81的下端与探针卡90的后述卡主体91的上表面的对应的电极焊盘接触，各伸缩顶针81的上端被按压到测试机主板41的下表面的对应电极上。

探针卡90具有圆板状的卡主体91，其上表面设置有多个电极焊盘。卡主体91的下表面设置有多个向下方延伸的由针状接触端子构成的探针(probe)92。

设置在卡主体91的上表面的上述多个电极焊盘各自与对应的探针92电连接。并且，在检查时，探针92各自与形成在晶圆W上的半导体器件的电极接触。从而，在电气特性检查时，经由伸缩顶针81、设置在卡主体91的上表面的电极焊盘和探针92，在测试机主板41与晶圆W上的半导体器件之间发送和接收检查用电信号。

检查装置1为了能够一次性对形成在晶圆W上的多个半导体器件进行电气特性检查，以大致覆盖卡主体91的整个下表面的方式设置有大量探针92。

在伸缩块固定框80的下表面，安装有作为筒状部件的波纹管84。波纹管84是以围绕探针卡90的方式下垂的筒状的可伸缩部件。波纹管84的下端设置有环状的抵接部84a。

波纹管84在探针卡90的下方的位置，经由作为密封部的唇形密封部100吸附保持顶部吸盘70。

唇形密封部100具有弹性，例如由树脂材料形成。唇形密封部100以包围载置在顶部吸盘70上的晶圆W且与波纹管84相对的方式，设置在顶部吸盘70的上表面。唇形密封部100向上方开口，与波纹管84的抵接部84a抵接。唇形密封部100能够形成由唇形密封部100和波纹管84包围的密封空间P。具体而言，唇形密封部100能够形成由唇形密封部100和波纹管84的抵接部84a包围的密封空间P。密封空间P与形成于顶部吸盘70中的排气路径70a的一端连通。排气路径70a的另一端与减压机构110和大气释放机构120连接。

减压机构110对密封空间P进行减压。由此，将顶部吸盘70经由唇形密封部100吸附保持于波纹管84。即，减压机构110经由唇形密封部100产生吸附保持力，利用波纹管84对顶部吸盘70进行吸附保持。减压机构110包括对密封空间P进行排气的真空泵，和切换真空泵的排气之启停的切换阀等，由控制部22控制。

大气释放机构120是用于将顶部吸盘70从波纹管84取下的机构，即，用于停止波纹管84对顶部吸盘70的吸附保持的机构，其将大气导入到密封空间P。大气释放机构120具有切换对密封空间P进行大气导入之启停的切换阀等，由控制部22控制。

为了将顶部吸盘70从波纹管84取下，也可以不采用导入大气的方法，而是导入非活性气体等。

波纹管84经由唇形密封部100对顶部吸盘70进行吸附保持，因此能够形成由包含探针卡90的伸缩块固定框80、波纹管84、唇形密封部100和顶部吸盘70包围的密闭空间S。密闭空间S与形成在伸缩块固定框80的框主体83中的排气路径83b的一端连通。排气路径83b的另一端与减压机构130和大气释放机构140连接。

减压机构130对密闭空间S进行减压。由此，能够维持晶圆W与探针92的接触状态。减压机构130包括对密闭空间S进行排气的真空泵，和切换真空泵的排气之启停的切换阀等，由控制部22控制。

大气释放机构140是用于使密闭空间S恢复大气压的机构，其将大气导入到密闭空间S。大气释放机构140具有切换对密闭空间S进行大气导入之启停的切换阀等，由控制部22控制。

为了使密闭空间S恢复大气压，也可以不采用导入大气的方法，而是导入非活性气体等。

伸缩块固定框80的框主体83的下表面设置有多个移位传感器85，其被用作检测顶部吸盘70相对于伸缩块固定框80的位置的传感器。移位传感器85检测从伸缩块固定框80到顶部吸盘70的距离，具体来说，检测从移位传感器85到顶部吸盘70的上表面的距离。移位传感器85的检测结果被输出到控制部22。

接着说明使用检查装置1进行的检查处理。

(搬入和位置对准)

首先，进行检查对象晶圆W的搬入和该晶圆W与探针卡90的位置对准。具体来说，由控制部22控制搬运装置30等，从搬入搬出区域11的装载埠20内的匣盒C中取出晶圆W，将其搬入检查区域13内，载置到对准器50上吸附保持的顶部吸盘70上。接着，基于摄像机60对顶部吸盘70上的晶圆W拍摄的结果和摄像机50a对探针92拍摄的结果，由控制部22控制对准器50，进行顶部吸盘70上的晶圆W与探针92的水平方向上的位置对准。

(顶部吸盘70的吸附保持和探针92的按压接触)

接着，使顶部吸盘70吸附保持于波纹管84，并对晶圆W按压探针92使之接触。

具体来说，例如，使吸附保持有顶部吸盘70的对准器50的Z载置台53上升，从而使顶部吸盘70上升，使波纹管84的抵接部84a与唇形密封部100抵接。由此，形成了由抵接部84a和唇形密封部100包围的密封空间P。接着，通过减压机构110对密封空间P进行减压，由此，将顶部吸盘70经由唇形密封部100吸附保持于波纹管84，并且形成了由伸缩块固定框80、波纹管84、唇形密封部100和顶部吸盘70包围的密闭空间S。

之后，继续使对准器50的Z载置台53上升以带来顶部吸盘70的上升，使探针卡90的探针92与形成在晶圆W上的半导体器件的电极抵接。

在抵接后，继续使对准器50的Z载置台53上升以带来顶部吸盘70的上升，使探针92按压接触顶部吸盘70上的晶圆W的电极。其中，下文将探针92与晶圆W的电极抵接后的顶部吸盘70的上升量称作“过驱动量”。接着，通过减压机构130将密闭空间S减压至规定的压力，顶部吸盘70被吸引于探针卡90。

接着，解除对准器50的Z载置台53对顶部吸盘70的吸附保持，并使Z载置台53下降。此时，由于密闭空间S被减压至规定的压力，因此顶部吸盘70从Z载置台53分离，继续被吸引于探针卡90，在探针92被按压到顶部吸盘70上的晶圆W的电极的状态下，继续保持接触。此时，密封空间P继续减压。由此能够使密闭空间S可靠地继续保持密闭。

(检查)

在顶部吸盘70与对准器50的Z载置台53分离后，从测试机40经伸缩顶针81等向探针92输入电气特性检查用的电信号，对形成在晶圆W上的电子器件进行电气特性检查。

(解除探针92的接触，取下顶部吸盘70)

在电气特性检查结束后，解除检查后的晶圆W与探针92的接触，并将载置有检查后的晶圆W的顶部吸盘70从波纹管84取下，支承到对准器50上。该步骤中的解除晶圆W与探针92的接触——其中包括从波纹管84取下顶部吸盘70——的方法(下称“接触解除及取下方法”)的细节在后文所述。

(搬出)

之后，搬出检查后的晶圆W。

具体来说，由控制部22控制搬运装置30等，将保持在对准器50的顶部吸盘70上的检查后的晶圆W从检查区域13搬出，返回到搬入搬出区域11的装载埠20内的匣盒C中。

其中，在一个测试机40进行检查的期间，能够利用对准器50对其他测试机40搬运检查对象晶圆W，或者从其他测试机40回收检查后的晶圆W。

接着，使用图6和图7说明上述的接触解除及取下方法。图6是用于说明上述接触解除及取下方法之一例的流程图，图7是表示该方法的各步骤中顶部吸盘70、对准器50等的状态的图。

本例中，在使用移位传感器53a的检测结果时，首先，对移位传感器53a的检测值进行校正(步骤S1)。

具体来说，首先，利用X载置台51和Y载置台52使对准器50的Z载置台53移动到被波纹管84支承的顶部吸盘70的下方的空间，之后上升规定量Δh(例如100μm)。在该上升前后，利用移位传感器53a检测从对准器50的Z载置台53的上表面到顶部吸盘70的下表面的距离，基于它们的测结果和Z载置台53的上升量即上述规定量Δh，由控制部22校正移位传感器53a的检测值。移位传感器53a设置有多个，上述校正按每个移位传感器53a进行。

接着，判断对准器50与顶部吸盘70是否存在相对倾斜(步骤S2)。

具体来说，例如，控制部22利用多个移位传感器53a检测从对准器50的Z载置台53的上表面到顶部吸盘70的下表面的距离，基于它们的检测结果，计算对准器50的Z载置台53与顶部吸盘70的相对倾斜。然后，控制部22判断计算出的上述相对倾斜是否超过规定值。

根据判断的结果，在超过规定值的情况下即对准器50与顶部吸盘70存在相对倾斜的情况下(“是”的情况下)，使用设置在对准器50上的倾斜调整机构(未图示)进行对准器50与顶部吸盘70的相对倾斜的调整(步骤S3)。在计算出的倾斜未超过规定值的情况下，即对准器50与顶部吸盘70无相对倾斜的情况下(“否”的情况下)，省略步骤S3的倾斜调整步骤。

接着，如图7中(A)所示，使对准器50上升至预先设定的释放位置，使其靠近正在形成密闭空间S的顶部吸盘70(步骤S4)。

具体来说，使对准器50的Z载置台53逐渐上升至上述释放位置，使Z载置台53的上表面逐渐接近正在形成密闭空间S的顶部吸盘70的下表面。上述释放位置例如可由移位传感器53a检测，其满足，从对准器50的Z载置台53的上表面到顶部吸盘70的下表面的距离L小于上述的过驱动量OD，更具体来说，是上述距离L为60μm以下的位置，更优选的是上述距离L为30μm以下的位置。

接着，开始进行对准器50对顶部吸盘70的吸附动作(步骤S5)。

具体来说，控制部22控制设置于对准器50的吸附保持机构(未图示)，开始对准器50的Z载置台53对顶部吸盘70的吸附动作。不过，在该时刻，顶部吸盘70由于是离开Z载置台53的，因此实际上并未被吸附保持到Z载置台53上。

接着，停止密闭空间S的减压并使密闭空间S恢复大气压(步骤S6)。

具体来说，控制部22控制减压机构110和大气释放机构120，停止由包含探针卡90的伸缩块固定框80、波纹管84、唇形密封部100和顶部吸盘70包围的密闭空间S的减压，将该密闭空间S经由排气路径83b对大气敞开。

此时，顶部吸盘70和由顶部吸盘70载置的晶圆W在按压于晶圆W上的探针92的反作用力和自重的作用下，如图7中(B)所示下降。不过，由于对准器50的Z载置台53位于上述释放位置，因此即使将密闭空间S对大气敞开，Z载置台53也与顶部吸盘70足够靠近，处于探针92对晶圆W的按压状态下的接触不会被解除的程度。从而，即使因将密闭空间S对大气敞开，导致在顶部吸盘70产生了绕顶部吸盘70中心作用的力矩，顶部吸盘70也能够在不发生较大倾斜的情况下，由Z载置台53支承。

当顶部吸盘70被Z载置台53支承后，如上所述由于已经开始了吸附动作，因此顶部吸盘70被吸附保持在Z载置台53上。此外，顶部吸盘70还经由唇形密封部100继续吸附保持于波纹管84。

接着，使吸附保持了顶部吸盘70的对准器50的Z载置台53下降，如图7中(C)所示，解除晶圆W与探针92之间的按压状态下的接触(步骤S7)。

此时，Z载置台53的下降量至少为过驱动量OD以上，例如为200～500μm。由此，能够可靠地解除晶圆W与探针92之间的按压状态下的接触，更具体来说，能够可靠地使晶圆W和探针92分离。

此外，该步骤中的Z载置台53的下降量优选在考虑了探针卡90的翘曲等的基础上设定。

接着，停止经唇形密封部100实现的波纹管84对顶部吸盘70的吸附保持，如图7中(D)所示，将顶部吸盘70从波纹管84取下(步骤S8)。

具体来说，控制部22控制减压机构130和大气释放机构140，停止由唇形密封部100和波纹管84包围的密封空间P的减压，并且经由排气路径70a使密封空间P恢复至大气压。由此，解除了经唇形密封部100实现的波纹管84对顶部吸盘70的吸附保持，顶部吸盘70被从波纹管84取下，仅由对准器50的Z载置台53支承。

然后，控制部22使对准器50的Z载置台53下降至规定的位置。

在解除了经唇形密封部100实现的波纹管84对顶部吸盘70的吸附保持时，由于受到在该吸附保持时发生了变形的唇形密封部100的反作用力，顶部吸盘70可能会在水平方向上移动，即在水平方向上偏移。但即使像这样在水平方向产生了偏移，由于晶圆W和探针92已通过步骤S7分离，因此探针92不会在晶圆W上滑动。因而，不会因来自唇形密封部100的反作用力导致在晶圆W上形成由探针92产生的较长的接触痕。

接着，使吸附保持顶部吸盘70的对准器50的Z载置台53的下降(步骤S9)。

之后，判断是否将顶部吸盘70的位置重置(步骤S10)。

具体来说，例如，控制部22基于多个移位传感器53a的检测结果，计算保持在对准器50的Z载置台53上的顶部吸盘70相对于Z载置台53的倾斜，判断计算出的顶部吸盘70的倾斜是否超过规定值。

在判断的结果是超过规定值的情况下，即顶部吸盘70没有被载置在Z载置台53的所希望的位置而是发生了倾斜的情况下(“是”的情况下)，进行顶部吸盘70的位置的重置动作(步骤S11)。上述重置动作例如是使X载置台51和Y载置台52的至少任一方振动的动作。此外，在计算出的顶部吸盘70的倾斜不超过规定值的情况下，即，顶部吸盘70不倾斜的情况下(“否”的情况下)，省略步骤S11的重置步骤。

如上所述，本实施方式的探针92与晶圆W之间的接触的解除方法包括：使对准器50上升至预先设定的解除位置，使其靠近正在形成密闭空间S并被吸附保持于波纹管84的顶部吸盘70的步骤；和之后，停止密闭空间S的减压，以探针92对晶圆W的按压状态下的接触不被解除的方式，利用上述解除位置的对准器50来支承顶部吸盘70的步骤。因此，即使因将密闭空间S对大气敞开，导致在顶部吸盘70产生了绕顶部吸盘70中心作用的力矩，顶部吸盘70也能够在不发生较大倾斜的情况下由Z载置台53支承。从而，在将密闭空间S对大气敞开时，探针92不会相对地沿着保持在顶部吸盘70上的晶圆W的上表面大幅移动。即，在将密闭空间S敞开时，不会在晶圆W上形成由探针92产生的较长的接触痕。

本实施方式的方法还包括：在利用对准器50支承顶部吸盘70的步骤后，使吸附保持了顶部吸盘70的对准器50下降，来解除探针92对晶圆W的按压状态下的接触的步骤；和之后，停止经唇形密封部100实现的波纹管84对顶部吸盘70的吸附保持的步骤。即，在本实施方式的方法中，在晶圆W和探针92分离的状态下，解除经由唇形密封部100实现的波纹管84对顶部吸盘70的吸附保持。因此，在解除上述吸附保持时，即使因唇形密封部100的作用力导致顶部吸盘70相对于探针92在水平方向上发生偏移，在载置于顶部吸盘70的晶圆W上也不会形成因探针92产生的较长的接触痕。

像这样，采用本实施方式，能够防止在解除晶圆W与探针的接触时产生较长的接触痕。并且，如上所述不需要为了防止该接触痕而降低探针502a对晶圆W的按压力。

上述例子中，在步骤S4中，使对准器50逐渐上升至释放位置，并且，以由移位传感器53a检测到的从对准器50的Z载置台53的上表面到顶部吸盘70的下表面的距离L为预先设定的值以下的位置为上述释放位置。但也可以取而代之，例如，在步骤S4中，使对准器50阶段性地上升至释放位置，以一个阶段内移位传感器检测到的上述距离L的变化量变得小于对准器50的上升量的位置，作为上述释放位置。另外也可以是，在步骤S4中，在使对准器50逐渐上升至释放位置时，使用由移位传感器85检测到的从伸缩块固定框8到顶部吸盘70的距离产生变化(例如数μm的变化)的位置作为上述释放位置。

另外，上述例子中，唇形密封部100被设置在顶部吸盘70的上表面。但唇形密封部也可以设置在波纹管84的抵接部84a的下表面。在该情况下，通过对由唇形密封部和与该唇形密封部接触的顶部吸盘70的上表面所包围的密封空间进行减压，能够经由唇形密封部利用波纹管84对顶部吸盘70进行吸附保持。

此外，上述例子中，通过真空吸附进行经唇形密封部100实现的波纹管84对顶部吸盘70的吸附保持。也可以取而代之，例如，通过波纹管84的抵接部84a与顶部吸盘70的上表面之间的静电吸附，来进行上述吸附保持。

说明书公开的实施方式在所有方面均为例示而不应该认为是限制性的。上述实施方式在不脱离其技术方案之范围及其技术思想的前提下，能够以各种的方式省略、置换、改变。

附图标记说明

1 检查装置

22 控制部

50 对准器

70 顶部吸盘

84 波纹管

90 探针卡

92 探针

100 唇形密封部

110 减压机构

130 减压机构

S 密闭空间

W 晶圆