公开/公告号CN113802110A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-17
原文格式PDF
申请/专利权人 拓荆科技股份有限公司;
申请/专利号CN202010538699.2
申请日2020-06-13
分类号C23C16/455(20060101);C23C16/44(20060101);C23C16/50(20060101);
代理机构21229 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙);
代理人王翠
地址 110179 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
入库时间 2023-06-19 13:45:04
机译: 电感耦合等离子体(ICP)腔中随着源功率的增加而提高了沉积效率并提高了腔室电导率
机译: 在电感耦合等离子体(ICP)腔室中,随着源功率的增加,沉积效率提高,腔室电导率更高
机译: 等离子体处理工艺可提高等离子体处理室中的原位腔室清洁效率