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存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复

摘要

本申请案涉及存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复。存储器装置中的控制逻辑在所述存储器装置上启动编程操作,所述编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段。所述控制逻辑进一步使负电压信号在所述编程操作的所述编程验证恢复阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块的第一多个字线,其中所述第一多个字线中的每一个耦合到所述数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元,所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所述所选择字线的一或多个数据字线。

著录项

  • 公开/公告号CN113808657A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN202110654996.8

  • 发明设计人 H-Y·陈;Y·董;

    申请日2021-06-11

  • 分类号G11C29/38(20060101);G11C29/44(20060101);G11C29/00(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-06-19 13:45:04

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