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公开/公告号CN113774343A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学;
申请/专利号CN202110912893.7
发明设计人 王梦颖;刁训刚;
申请日2021-08-10
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/02(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/54(20060101);
代理机构
代理人
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
入库时间 2023-06-19 13:41:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-09
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C23C14/35 专利申请号:2021109128937 申请公布日:20211210
发明专利申请公布后的撤回
机译: 通过共溅射技术形成硅掺杂的氮化镓(GAN)薄膜的方法和装置
机译: 通过共溅射技术形成硅掺杂的氮化镓(GAN)薄膜的方法和装置。
机译: 磁控共溅射制备金属掺杂ZnO薄膜的方法
机译:一种用于室温酒精和丙酮传感器的三维草状碳掺杂ZrO_2薄膜的原位制备方法
机译:氧分压对磁控共溅射制备非掺杂和掺杂Cu的ZnO薄膜结构和光学性能的影响
机译:镓掺杂对磁控共溅射制备透明导电Al掺杂ZnO薄膜的影响
机译:共溅射Mg掺杂IrO_2薄膜的电致变色性能
机译:用于环境应用的纳米结构二氧化钛光催化颗粒,薄膜,膜和装置的新型制备方法。
机译:自旋电子应用中通过共溅射制备的Co掺杂TiO2柔性薄膜的类铁磁行为
机译:原型电致变色器件和染料敏化太阳能电池使用喷雾沉积,并掺杂掺杂V2O5薄膜电极
机译:反应共溅射制备高透明导电铝掺杂氧化锌薄膜(后印刷)。