一种线性渐变梁结构的MEMS压阻式压力传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种线性渐变梁结构的MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，其中，压力传感器包括具有线性渐变梁膜结构的硅应变膜、压敏电阻、重掺杂接触区域、金属引线和玻璃底座，硅应变膜为硅衬底的正面经过光刻刻蚀和背面经过背腔刻蚀工艺后形成的具有线性渐变梁膜结构的硅膜，压敏电阻位于线性渐变梁膜结构的端部，金属引线和重掺杂接触区在硅应变梁膜的正面形成欧姆接触，玻璃底座位于硅应变膜的背面且与硅应变膜键合。通过采用本发明的压阻式压力传感器，不仅实现了通过调节渐变梁结构的线性变化比例，达到提高压力传感器线性度和降低后期调试补偿难度的目的，而且还实现了通过调整压敏电阻与渐变梁结构之间的尺寸大小，实现提高灵敏度的目的。