一种增强型电容耦合GaN毫米波开关器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种增强型电容耦合GaN毫米波开关器件及其制造方法。所述器件包括外延片、两个P型GaN、两个电极、和钝化层和两个通孔；其中，外延片从下至上依次包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层；两个P型GaN分别设置在势垒层上表面两端，在势垒层上呈对称分布；两个电极分别设置在两个P型GaN上；钝化层覆盖裸露在外的势垒层和p型GaN，并连接电极的侧面；通孔设置于电极上方。本发明用P型氮化镓层做电容耦合接触型开关的介质层，一方面可以提高开关的功率容量，一方面可以将开关从常开型转化为常闭性，使开关不会因噪声而造成误开启，提高了开关的可靠性以及稳定性，减少了毫米波开关的功率损耗。